时间：2025/12/28 18:34:53
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IS41LV16100是一款由ISSI（Integrated Silicon Solution, Inc.）制造的高速、低功耗CMOS动态随机存取存储器（DRAM）芯片。该芯片容量为16Mbit，组织形式为x16，工作频率可达100MHz，适用于需要高速数据存储和访问的应用场合。IS41LV16100采用标准的异步DRAM接口，具备宽温度范围支持，适用于工业级和高性能嵌入式系统应用。
类型：DRAM
容量：16Mbit
组织结构：x16
电源电压：3.3V
最大访问时间：5.4ns
最大工作频率：100MHz
封装形式：54引脚TSOP
工作温度范围：-40°C至+85°C
接口类型：异步
刷新方式：自动刷新/自刷新
功耗：典型工作电流约300mA
数据保持电流：约10mA
IS41LV16100是一种高性能、低功耗的DRAM芯片，采用CMOS工艺制造，具有高速访问能力和低功耗特性。其5.4ns的访问时间使其能够满足高速缓存和高性能数据缓冲应用的需求。该芯片支持自动刷新和自刷新模式，有效降低系统功耗并延长数据保持时间。此外，IS41LV16100具有宽温度范围特性，能够在工业级温度范围内稳定运行，适合各种严苛环境下的应用。
该芯片采用标准的异步接口，兼容多种主控器和控制器，简化了系统设计和集成。其54引脚TSOP封装形式具有良好的电气性能和热稳定性，适合高密度PCB布局。IS41LV16100还具备低待机电流特性，有助于提高系统的能效表现。
IS41LV16100广泛应用于需要高速存储和低功耗特性的电子系统中，例如工业控制、网络设备、通信模块、视频处理系统和嵌入式设备等。由于其高速访问时间和低功耗设计，该芯片特别适合用于缓存存储、帧缓冲、数据缓冲和临时数据存储等场景。在图像处理和显示控制应用中，IS41LV16100可用于存储图像数据或作为图形加速器的辅助存储器。此外，在嵌入式系统中，它可以作为主控制器的外部存储扩展，提升系统整体性能。
IS41LV16100A-6B4BLI
