时间：2025/12/28 18:07:48
阅读：7
IS41LV16100-50TLI 是一颗由ISSI（Integrated Silicon Solution Inc.）制造的高速异步静态随机存取存储器（SRAM）芯片，容量为16Mbit（1Mb x16），采用低功耗CMOS工艺制造，适用于对速度和功耗有较高要求的应用场景。
容量：16Mbit (1Mb x16)
电压：3.3V
访问时间：50ns
封装：54-TSOP
温度范围：工业级（-40°C 至 +85°C）
接口类型：并行异步接口
读写操作：非同步读写
数据宽度：16位
功耗：典型工作电流约180mA
IS41LV16100-50TLI 采用先进的CMOS技术，实现了高速与低功耗的完美结合。其50ns的访问时间使其适用于对性能要求较高的系统。芯片的3.3V电源供电设计降低了系统功耗，并与现代控制器的电压兼容，简化了接口设计。TSOP封装结构减小了PCB空间占用，同时支持工业级温度范围，确保在各种环境下稳定运行。
此外，该器件支持异步操作，具备灵活的控制信号，如片选（CE）、写使能（WE）和输出使能（OE），便于与多种微处理器和控制器连接。芯片还具有自动省电模式，在未被访问时自动进入低功耗状态，进一步延长电池供电设备的使用时间。
可靠性方面，该SRAM芯片经过严格测试，确保在恶劣环境下的稳定性和长寿命，适合工业控制、通信设备、嵌入式系统等高要求应用领域。
IS41LV16100-50TLI 适用于多种需要高速存储器的嵌入式系统和工业控制设备，如网络路由器、工业自动化控制器、数据采集设备、测试仪器、通信基站模块等。由于其低功耗特性，也常用于便携式设备和电池供电系统中，如手持终端、医疗监测设备等。
[
"IS42LW16100-50TLI",
"CY62167VLL-55ZSXI",
"IDT71V128L10PFG",
"IS61LV1024-50TLI"
]
