HM514260DLJ-7是一款由Hynix(现为SK Hynix)生产的动态随机存取存储器(DRAM)芯片。这款DRAM芯片设计用于需要高性能和高存储密度的应用场景,通常用于计算机系统、工业设备和嵌入式系统中。该芯片的存储容量为16MB,采用5V电源供电,支持高速数据访问。HM514260DLJ-7以其稳定性和可靠性在工业界得到了广泛的应用。
容量:16MB
组织方式:1M x 16
电源电压:5V
访问时间:7ns
封装类型:TSOP
引脚数:54
工作温度范围:工业级(-40°C 至 +85°C)
数据速率:143MHz
接口类型:并行
刷新周期:64ms
HM514260DLJ-7是一款采用CMOS工艺制造的高速DRAM芯片,其主要特性包括高容量、低功耗和优异的稳定性。这款芯片的存储容量为16MB,组织方式为1M x 16,适合需要大量数据缓存的应用。其电源电压为标准5V,兼容多种系统设计。访问时间为7ns,能够满足高速数据传输的需求。该芯片采用TSOP封装,54个引脚的设计使其在电路板上的布局更加灵活。HM514260DLJ-7的工作温度范围为-40°C至+85°C,适用于工业级环境。数据速率为143MHz,支持高速操作,提高了系统的整体性能。接口类型为并行,确保了与多种控制器的兼容性。此外,该芯片内置刷新电路,刷新周期为64ms,能够有效维持数据的完整性。这些特性使得HM514260DLJ-7成为一种可靠且高效的存储解决方案。
HM514260DLJ-7广泛应用于需要高性能存储的系统,包括个人计算机、服务器、工业控制设备、通信设备和嵌入式系统。在计算机系统中,它常用于扩展主存,提高系统的运行速度。在工业控制设备中,该芯片可用于存储程序和数据,确保设备的稳定运行。通信设备中使用HM514260DLJ-7可以提高数据处理能力,增强系统的响应速度。此外,它还适用于各种嵌入式系统,如智能卡终端、医疗设备和汽车电子系统,满足这些系统对存储容量和性能的高要求。
ISSI IS61LV10248ALLB4-7TLI
ISSI IS64LV1024A8ALLB4-7TLI
Cypress CY7C1021B-7ZSXC