IS41LV16100-50TI 时间：2025/9/1 9:30:52 阅读：6

IS41LV16100-50TI是一款由ISSI（Integrated Silicon Solution, Inc.）制造的高速CMOS动态随机存取存储器（DRAM）。该芯片的容量为16Mbit，组织方式为1M x 16位，工作电压为3.3V，支持高速访问，访问时间可达5.4ns。这款DRAM适用于需要高速数据存取的系统，如网络设备、通信设备、工业控制系统和嵌入式应用。

参数

容量：16Mbit
　　组织结构：1M x 16位
　　电压：3.3V
　　访问时间：5.4ns（最大）
　　封装类型：TSOP
　　工作温度范围：工业级（-40°C 至 +85°C）
　　数据宽度：16位
　　封装引脚数：54
　　工艺技术：CMOS
　　时钟频率：支持高达143MHz同步操作

特性

IS41LV16100-50TI采用高速CMOS工艺制造，具有低功耗、高性能和高可靠性的特点。
　　其高速访问时间（最大5.4ns）确保了在高频操作下的稳定性和响应速度，适用于高性能计算和实时数据处理系统。
　　该芯片支持同步操作，通过标准的DRAM控制信号（如RAS、CAS、WE）实现数据的快速读写。
　　低功耗特性使其在电池供电设备或需要节能设计的系统中表现出色。
　　IS41LV16100-50TI采用54引脚TSOP封装，符合工业级温度标准，确保在恶劣环境下的稳定运行。
　　此外，该器件支持自动刷新和自刷新模式，有助于维持数据完整性并降低功耗。

应用

IS41LV16100-50TI广泛应用于需要高速数据缓存和临时存储的场合，例如网络路由器、交换机、通信设备、图像处理系统、嵌入式处理器系统、工业控制设备和测试测量仪器。
　　在嵌入式系统中，该芯片可作为外部存储器，用于扩展主控芯片的内存容量。
　　在视频处理设备中，它能够提供足够的带宽支持图像数据的快速存取。
　　由于其低功耗和高速特性，也常用于便携式设备和高密度存储系统中。