时间：2025/9/1 13:41:25
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IS41C16256-40K是一款由ISSI（Integrated Silicon Solution, Inc.）制造的高速静态随机存取存储器（SRAM），容量为256K x 16位。这款SRAM采用CMOS工艺制造，具有低功耗和高速性能，适用于需要高性能和可靠性的应用场合。IS41C16256-40K的封装形式为54引脚TSOP（薄型小外形封装），适合在空间受限的环境中使用。该器件广泛用于网络设备、通信设备、工业控制系统和嵌入式系统中。
容量：256K x 16位
访问时间：40ns
工作电压：3.3V
封装类型：54-TSOP
工作温度范围：工业级（-40°C至+85°C）
数据保持电压：2V
最大待机电流：10mA
最大工作电流：200mA
输入/输出电平：TTL兼容
时钟频率：最大可达143MHz
IS41C16256-40K SRAM具有多种优异特性，确保其在高性能应用中的稳定性和可靠性。首先，其高速访问时间为40ns，支持高达143MHz的时钟频率，使其适用于高速数据缓冲和存储应用。其次，该器件采用低功耗CMOS技术，在待机模式下的电流消耗仅为10mA，有助于降低系统整体功耗。此外，它支持TTL输入/输出电平，兼容多种数字电路标准，提高了与其他系统的互操作性。
IS41C16256-40K具有宽广的工作温度范围（-40°C至+85°C），适用于工业环境中的严苛条件。该器件的电源电压为3.3V，符合现代低功耗电子系统的设计趋势。同时，它具有2V的数据保持电压，即使在电源供应不稳定的情况下，也能保证数据的完整性。在封装方面，IS41C16256-40K采用54-TSOP封装，厚度较薄，非常适合用于对空间要求较高的设计。
IS41C16256-40K SRAM广泛应用于需要高速、低功耗和可靠性的电子系统中。常见的应用包括网络交换设备、路由器、通信基站、工业控制设备、嵌入式系统以及高性能计算模块。其高速访问时间和低功耗特性使其成为高速缓存、帧缓冲器和临时数据存储的理想选择。此外，由于其工业级温度范围和高可靠性，该器件也常用于汽车电子系统和军事设备中。
IS41C16256A-40K, CY62168EVLL-45ZXC, IDT71V416SA-40B, AS7C256A-40BC, IS61LV25616-40B
