IS41C16256-25X是一款由ISSI(Integrated Silicon Solution, Inc.)生产的高速静态随机存取存储器(SRAM)芯片,容量为16K x 16位,属于高性能的异步SRAM产品。该芯片广泛应用于需要高速数据存储和快速访问的场景,如网络设备、通信系统、工业控制和嵌入式系统等。其封装形式为52引脚TSOP(薄型小外形封装),适用于空间受限的设计环境。IS41C16256-25X的工作温度范围为工业级温度范围(-40°C至+85°C),适合各种严苛环境下的应用。
存储容量:16K x 16位
组织结构:16K地址 x 16位数据总线
访问时间:25ns
封装类型:52引脚TSOP
工作电压:3.3V
工作温度范围:-40°C至+85°C
输入/输出逻辑电平:TTL兼容
芯片使能(CE):低电平有效
输出使能(OE):低电平有效
写使能(WE):低电平有效
数据保持电流:低功耗模式下最大10mA
IS41C16256-25X是一款高速SRAM芯片,其主要特点包括高速访问时间、低功耗设计、宽温度范围支持以及高可靠性。该芯片的访问时间仅为25纳秒,使得其适用于需要快速数据读写的系统。此外,其工作电压为3.3V,具备低功耗特性,在待机模式下功耗极低,适用于对功耗敏感的设计。该芯片采用TTL兼容输入/输出接口,能够与多种主控芯片无缝连接,简化了系统设计。在控制信号方面,它支持芯片使能(CE)、输出使能(OE)和写使能(WE)三个控制信号,用户可以通过这些信号灵活地控制读写操作。此外,IS41C16256-25X采用了CMOS工艺制造,具有较高的抗干扰能力和稳定性,适用于工业和通信等高要求的环境。由于其TSOP封装形式,该芯片在PCB布局时占用空间较小,适合高密度设计。
另外,该芯片还具备数据保持功能,在低功耗模式下,即使不进行读写操作,也能保持存储的数据,从而在系统休眠或待机时仍能维持关键数据的完整性。这种特性对于需要长时间保存临时数据的应用非常有用。
IS41C16256-25X SRAM芯片主要应用于需要高速数据存储和快速访问的嵌入式系统和工业设备。其高速访问时间和低功耗特性使其成为通信设备、路由器、交换机、工业控制器、图像处理模块和数据采集系统的理想选择。此外,该芯片也广泛用于需要缓存或临时存储大量数据的场合,例如网络数据缓冲、实时控制系统的数据暂存、嵌入式系统的高速缓存等。其宽温度范围支持和高可靠性也使其适用于恶劣工业环境中的控制系统和测试仪器。在汽车电子领域,该芯片可用于车载信息娱乐系统、驾驶辅助系统以及车载通信模块的临时数据存储单元。
IS41C16256-25L, CY62167E, AS7C31026C