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GA1210H333MXAAR31G 发布时间 时间:2025/6/3 11:28:30 查看 阅读:7

GA1210H333MXAAR31G 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,专为高效率开关应用而设计。该器件采用了先进的半导体制造工艺,具备低导通电阻和快速开关特性,广泛适用于电源管理、电机驱动以及 DC-DC 转换器等领域。
  这款芯片以其出色的电气性能和可靠性著称,能够在高频工作条件下提供卓越的效率表现。此外,它还具有良好的热稳定性和保护功能,能够适应各种严苛的工作环境。

参数

类型:N沟道 MOSFET
  电压等级:100V
  导通电阻(典型值):33mΩ
  最大漏极电流:40A
  栅极电荷:75nC
  工作温度范围:-55℃ 至 +175℃
  封装形式:TO-247

特性

GA1210H333MXAAR31G 的主要特性包括:
  1. 极低的导通电阻,有助于降低功耗并提升系统效率。
  2. 快速开关能力,适合高频应用。
  3. 高雪崩耐量,增强了器件在异常情况下的鲁棒性。
  4. 支持宽范围的工作温度,保证了在极端环境下的稳定性。
  5. 封装坚固耐用,便于散热和安装。
  6. 具备优异的静电防护能力,提升了整体可靠性。

应用

该芯片的主要应用场景包括:
  1. 开关电源(SMPS)中的主开关元件。
  2. DC-DC 转换器的核心功率器件。
  3. 电机驱动电路中的功率控制单元。
  4. 工业设备中的负载切换与保护。
  5. 新能源领域中的逆变器及储能系统。
  6. 各类电池管理系统中的关键组件。

替代型号

IRFZ44N
  FDP18N10
  AON7729

GA1210H333MXAAR31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容0.033 μF
  • 容差±20%
  • 电压 - 额定50V
  • 温度系数X8R
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1210(3225 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 长 x 0.098" 宽(3.20mm x 2.50mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.076"(1.94mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-