时间：2025/9/2 1:43:09
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IS41C16105-50TI 是一颗由ISSI（Integrated Silicon Solution Inc.）制造的高速异步静态随机存取存储器（SRAM）芯片，容量为16Mbit（1M x 16位），采用高速CMOS工艺制造，适用于需要高性能和低功耗的嵌入式系统和数据存储应用。
容量：16Mbit
组织方式：1M x 16位
电源电压：3.3V
访问时间：50ns
封装类型：TSOP
工作温度：工业级（-40°C 至 +85°C）
IS41C16105-50TI SRAM芯片具备高速访问时间（50ns），可满足高性能系统对数据存取速度的要求。其采用低功耗CMOS技术，使其在高速运行的同时保持较低的功耗水平，适用于对能效有要求的应用场景。该芯片具有宽温度范围（-40°C 至 +85°C），适合工业环境下的可靠运行。其TSOP封装形式有助于节省PCB空间并提升整体系统的集成度。
此外，IS41C16105-50TI具备异步控制功能，支持CE（芯片使能）、OE（输出使能）和WE（写使能）信号，允许其灵活地与各种主控设备或存储控制器配合使用。其高可靠性与稳定性使其广泛应用于通信设备、工业控制系统、汽车电子、网络设备等关键领域。
IS41C16105-50TI适用于需要高速数据存储和缓冲的场景，如路由器和交换机的缓存、工业控制系统的高速数据采集、汽车导航和娱乐系统的临时存储、嵌入式系统的程序和数据存储，以及各类测试和测量设备中的缓存应用。
IS42C16105-50TLI, CY7C1010B-50BZC, IDT71V128SA50PFG
