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IS34MW02G084-BLI-TR 发布时间 时间:2025/12/28 18:32:38 查看 阅读:26

IS34MW02G084-BLI-TR 是ISSI(Integrated Silicon Solution, Inc.)推出的一款高性能、低功耗的异步静态随机存取存储器(SRAM)模块。该器件采用先进的CMOS技术制造,提供高速访问时间和稳定性,适用于需要高可靠性和高性能的应用场景。IS34MW02G084-BLI-TR 的容量为256K x 8位,工作电压为2.3V至3.6V,适用于多种工业和商业应用。其封装形式为TSOP(Thin Small Outline Package),便于在各种电路板上安装和使用。

参数

容量:256K x 8位
  工作电压:2.3V - 3.6V
  访问时间:10ns
  封装类型:TSOP
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C
  封装引脚数:54
  数据宽度:8位
  最大功耗:120mA(典型值)
  待机电流:10mA(最大)
  时序类型:异步

特性

IS34MW02G084-BLI-TR 是一款高性能的异步SRAM,具有快速的访问时间和低功耗特性,使其适用于广泛的工业和商业应用。该器件在2.3V至3.6V的宽电压范围内工作,确保了在不同电源环境下的稳定运行。其10ns的访问时间能够满足高速数据存取的需求,适用于网络设备、通信系统、工业控制器和嵌入式系统等对性能要求较高的场景。
  该SRAM模块采用CMOS工艺制造,降低了功耗并提高了抗干扰能力,同时具备高可靠性和长寿命。IS34MW02G084-BLI-TR 的TSOP封装形式不仅节省空间,还具有良好的散热性能,适合高密度PCB布局设计。此外,其工作温度范围为-40°C至+85°C,满足工业级应用的严苛要求,适用于户外设备、车载系统和工业自动化控制等应用场景。
  在设计方面,IS34MW02G084-BLI-TR 提供了灵活的控制信号,包括片选(CE)、输出使能(OE)和写使能(WE),使得其能够轻松集成到各种微处理器和控制器系统中。其异步工作模式允许与各种时序控制器配合使用,简化了系统设计。

应用

IS34MW02G084-BLI-TR 主要应用于需要高速、低功耗存储解决方案的工业和商业领域。常见的应用包括网络设备(如路由器和交换机)、通信模块、嵌入式系统、工业控制系统、数据采集设备以及车载电子系统。由于其宽电压工作范围和良好的温度适应性,它也非常适合用于便携式设备、电池供电系统以及需要长期稳定运行的自动化控制系统中。此外,在需要高速缓存或临时数据存储的场合,如图像处理、音频处理和高速数据缓冲,该SRAM模块也能提供可靠的性能支持。

替代型号

IS66WV2568FFBLL-10S、CY62148EAV25LL-55S、IDT71V416SA10PFGI、IS34MW02G084-BLH-TR

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IS34MW02G084-BLI-TR参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格2,500 : ¥35.88012卷带(TR)
  • 系列-
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 存储器类型非易失
  • 存储器格式闪存
  • 技术FLASH - NAND(SLC)
  • 存储容量2Gb
  • 存储器组织256M x 8
  • 存储器接口并联
  • 时钟频率-
  • 写周期时间 - 字,页45ns
  • 访问时间30 ns
  • 电压 - 供电1.7V ~ 1.95V
  • 工作温度-40°C ~ 85°C(TA)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳63-VFBGA
  • 供应商器件封装63-VFBGA(9x11)