IS34MW01G164-BLI是一款高性能、低功耗的静态随机存取存储器(SRAM)芯片,由ISSI(Integrated Silicon Solution, Inc.)公司生产。这款SRAM芯片具有1Mbit的存储容量,采用高速异步设计,适用于需要快速数据访问和可靠数据存储的多种应用。IS34MW01G164-BLI采用先进的CMOS技术制造,确保了低功耗和高可靠性,广泛用于网络设备、工业控制系统、通信模块以及嵌入式系统中。其封装形式为48引脚TSOP(薄型小外形封装),便于在各种电子设备中集成。
类型:异步SRAM
容量:1Mbit(128K x 8)
电源电压:2.3V ~ 3.6V
访问时间:55ns
工作温度:-40°C ~ +85°C
封装类型:48-TSOP
封装尺寸:18.4mm x 12.0mm
最大功耗:150mA(典型值)
待机电流:10mA(典型值)
数据保持电压:1.5V
输入/输出电压兼容性:TTL/CMOS兼容
IS34MW01G164-BLI是一款高性能SRAM芯片,具备低功耗和高速访问的特点。该芯片采用了先进的CMOS工艺,能够在宽电压范围内(2.3V至3.6V)稳定工作,确保在不同电源条件下都能提供可靠的数据存储。其异步设计允许与各种微控制器和处理器无缝连接,简化了系统设计并提高了数据传输效率。
该芯片的最大访问时间为55ns,能够在高频环境下快速响应读写请求,适用于需要实时数据处理的应用。其低待机电流(典型值为10mA)设计使其在待机模式下仍能保持较低的功耗,非常适合电池供电或对功耗敏感的应用场景。此外,IS34MW01G164-BLI支持数据保持电压低至1.5V,可在系统掉电时保持数据不丢失,增强了系统的可靠性。
IS34MW01G164-BLI的工作温度范围为-40°C至+85°C,能够在恶劣的工业环境中稳定运行,适用于工业自动化、通信设备和汽车电子等应用场景。48-TSOP封装形式不仅节省空间,还便于PCB布局和焊接,提高了产品的可制造性和可靠性。
IS34MW01G164-BLI广泛应用于需要高速数据存储和低功耗特性的电子系统中。其典型应用包括网络设备(如路由器和交换机)、通信模块(如无线基站和工业以太网设备)、工业控制系统(如PLC和HMI)、测试与测量仪器、嵌入式系统(如智能卡终端和医疗设备)等。
由于其异步SRAM架构和宽电压范围的支持,IS34MW01G164-BLI特别适合用于与微控制器或FPGA配合的缓存或临时数据存储场合。在汽车电子领域,该芯片可用于车身控制模块、车载信息娱乐系统和远程信息处理设备,以确保在不同环境条件下数据的快速存取和稳定性。此外,在物联网(IoT)设备中,该芯片的低功耗和数据保持特性使其成为理想的本地存储解决方案。
IS61LV1024-55BLLI
CY62148E
IDT71V128SA