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IS34MW01G164-BLI 发布时间 时间:2025/9/1 15:24:54 查看 阅读:8

IS34MW01G164-BLI是一款高性能、低功耗的静态随机存取存储器(SRAM)芯片,由ISSI(Integrated Silicon Solution, Inc.)公司生产。这款SRAM芯片具有1Mbit的存储容量,采用高速异步设计,适用于需要快速数据访问和可靠数据存储的多种应用。IS34MW01G164-BLI采用先进的CMOS技术制造,确保了低功耗和高可靠性,广泛用于网络设备、工业控制系统、通信模块以及嵌入式系统中。其封装形式为48引脚TSOP(薄型小外形封装),便于在各种电子设备中集成。

参数

类型:异步SRAM
  容量:1Mbit(128K x 8)
  电源电压:2.3V ~ 3.6V
  访问时间:55ns
  工作温度:-40°C ~ +85°C
  封装类型:48-TSOP
  封装尺寸:18.4mm x 12.0mm
  最大功耗:150mA(典型值)
  待机电流:10mA(典型值)
  数据保持电压:1.5V
  输入/输出电压兼容性:TTL/CMOS兼容

特性

IS34MW01G164-BLI是一款高性能SRAM芯片,具备低功耗和高速访问的特点。该芯片采用了先进的CMOS工艺,能够在宽电压范围内(2.3V至3.6V)稳定工作,确保在不同电源条件下都能提供可靠的数据存储。其异步设计允许与各种微控制器和处理器无缝连接,简化了系统设计并提高了数据传输效率。
  该芯片的最大访问时间为55ns,能够在高频环境下快速响应读写请求,适用于需要实时数据处理的应用。其低待机电流(典型值为10mA)设计使其在待机模式下仍能保持较低的功耗,非常适合电池供电或对功耗敏感的应用场景。此外,IS34MW01G164-BLI支持数据保持电压低至1.5V,可在系统掉电时保持数据不丢失,增强了系统的可靠性。
  IS34MW01G164-BLI的工作温度范围为-40°C至+85°C,能够在恶劣的工业环境中稳定运行,适用于工业自动化、通信设备和汽车电子等应用场景。48-TSOP封装形式不仅节省空间,还便于PCB布局和焊接,提高了产品的可制造性和可靠性。

应用

IS34MW01G164-BLI广泛应用于需要高速数据存储和低功耗特性的电子系统中。其典型应用包括网络设备(如路由器和交换机)、通信模块(如无线基站和工业以太网设备)、工业控制系统(如PLC和HMI)、测试与测量仪器、嵌入式系统(如智能卡终端和医疗设备)等。
  由于其异步SRAM架构和宽电压范围的支持,IS34MW01G164-BLI特别适合用于与微控制器或FPGA配合的缓存或临时数据存储场合。在汽车电子领域,该芯片可用于车身控制模块、车载信息娱乐系统和远程信息处理设备,以确保在不同环境条件下数据的快速存取和稳定性。此外,在物联网(IoT)设备中,该芯片的低功耗和数据保持特性使其成为理想的本地存储解决方案。

替代型号

IS61LV1024-55BLLI
  CY62148E
  IDT71V128SA

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IS34MW01G164-BLI参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格440 : ¥32.39766托盘
  • 系列-
  • 包装托盘
  • 产品状态在售
  • 存储器类型非易失
  • 存储器格式闪存
  • 技术FLASH - NAND(SLC)
  • 存储容量1Gb
  • 存储器组织64M x 16
  • 存储器接口并联
  • 时钟频率-
  • 写周期时间 - 字,页45ns
  • 访问时间45 ns
  • 电压 - 供电1.7V ~ 1.95V
  • 工作温度-40°C ~ 85°C(TA)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳63-VFBGA
  • 供应商器件封装63-VFBGA(9x11)