IS34ML02G084-TLI 是一款由 Integrated Silicon Solution, Inc. (ISSI) 生产的低功耗、高性能 DDR3L SDRAM 芯片。该芯片主要面向移动设备和嵌入式系统应用,具有较低的工作电压(1.35V)以减少功耗,并支持高达 1600 Mbps 的数据传输速率。
其内部存储容量为 2Gb(256M x 8),适用于需要高密度内存但对功耗要求严格的场景。该芯片采用标准的 FBGA 封装形式,具备良好的散热性能和可靠性。
容量:2Gb (256M x 8)
接口类型:DDR3L
工作电压:1.35V
数据传输速率:最高 1600 Mbps
封装形式:FBGA
引脚数:96
工作温度范围:-40°C 至 +85°C
存储深度:256M
位宽:8
IS34ML02G084-TLI 具备以下关键特性:
1. 低功耗设计:工作电压为 1.35V,显著降低功耗,非常适合电池供电设备。
2. 高速数据传输:支持高达 1600 Mbps 的数据速率,满足现代嵌入式系统对速度的需求。
3. 大容量存储:提供 2Gb 的存储容量,能够支持复杂的数据处理任务。
4. 稳定性与可靠性:经过严格测试,确保在各种环境条件下稳定运行。
5. 支持多种功能模式:包括自刷新、电源管理模式等,进一步优化功耗表现。
6. 符合 JEDEC 标准:确保与其他 DDR3L 内存的兼容性和互操作性。
IS34ML02G084-TLI 广泛应用于以下领域:
1. 移动设备:如智能手机、平板电脑等需要大容量内存和低功耗的设备。
2. 嵌入式系统:工业控制、医疗设备、车载电子系统等对可靠性和稳定性要求较高的场合。
3. 物联网 (IoT) 设备:智能家居设备、传感器节点等需要高效能比的设备。
4. 消费类电子产品:数字电视、机顶盒、游戏主机等需要高速数据处理能力的产品。
IS34ML02G084-TL
IS34ML02G084-TLD
IS42S16800J-6BLL