IS29GL128-70DLET 是一颗由 ISSI(Integrated Silicon Solution, Inc.)生产的非易失性闪存(Flash Memory)芯片,属于高性能、低功耗的并行NOR Flash存储器系列。该芯片的存储容量为128Mbit(即16MB),采用并行地址/数据总线接口,适用于需要快速读取和高可靠性的应用场合。
容量:128Mbit(16MB)
电压范围:2.3V 至 3.6V
访问时间:70ns
封装类型:TSOP
工作温度范围:工业级(-40°C 至 +85°C)
接口类型:并行(x8/x16)模式可选
读取电流:典型值 15mA
待机电流:最大 10mA
编程/擦除电压:内部电荷泵生成
IS29GL128-70DLET 采用先进的闪存技术,具备高速读取性能,访问时间仅为70ns,适用于实时系统和嵌入式设备。其宽电压范围设计(2.3V至3.6V)增强了电源适应性,适合多种供电环境。芯片支持x8和x16数据宽度的并行接口模式,提供灵活的系统集成能力。该器件具备低功耗特性,在待机模式下电流消耗极低,有助于延长电池供电设备的使用寿命。IS29GL128-70DLET 采用TSOP封装形式,体积小巧,适合高密度PCB布局。其工业级温度范围(-40°C至+85°C)确保在恶劣环境下仍能稳定运行。该芯片支持多种软件算法,包括扇区擦除、批量擦除以及字编程功能,便于用户实现灵活的数据管理。此外,IS29GL128-70DLET 还具备较高的擦写耐久性与数据保持能力,适用于需要频繁更新或长期存储数据的应用场景。
IS29GL128-70DLET 广泛应用于工业控制设备、通信模块、汽车电子系统、嵌入式系统、智能仪表、医疗设备以及消费类电子产品中。由于其高速读取能力和低功耗特性,特别适合用于固件存储、程序代码存储、图形数据存储等需要高可靠性的场合。
M29W128GL70ZA6E, S29GL128P_10