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IS27HC010-45PL 发布时间 时间:2025/9/1 12:26:41 查看 阅读:10

IS27HC010-45PL 是由 Integrated Silicon Solution, Inc.(ISSI)制造的一款高速CMOS静态随机存取存储器(SRAM)芯片。该器件属于高速SRAM系列,专为需要高速访问时间和低功耗应用而设计。IS27HC010-45PL 采用CMOS技术制造,提供128K x 8位的存储容量,适用于各种需要高速数据存储的电子系统。

参数

存储容量:128K x 8位
  访问时间:45ns
  电源电压:5V
  封装类型:PLCC(Plastic Leaded Chip Carrier)
  引脚数:52
  工作温度范围:工业级(-40°C 至 +85°C)
  功耗:典型工作电流约120mA(待机电流低于10mA)
  数据保持电压:最小2V
  封装尺寸:根据具体封装不同而异

特性

IS27HC010-45PL 是一款高性能SRAM芯片,其核心特性之一是高速访问时间,仅需45纳秒即可完成数据读取操作,这使其非常适合用于需要快速数据处理的应用场景。芯片采用CMOS技术,具备低功耗特性,在待机模式下电流消耗极低,有助于延长设备的电池寿命并减少热量产生。此外,IS27HC010-45PL 工作电压为5V,具有良好的电压容限,可在2V至5.5V范围内保持数据完整性,确保在电源波动情况下数据不会丢失。
  该SRAM芯片采用PLCC封装,具有较好的机械稳定性和热稳定性,适用于工业环境下的各种应用。其128K x 8位的存储结构提供了较大的数据存储空间,适用于缓存、临时数据存储以及需要频繁读写的应用。芯片的读写操作无需刷新,操作简单且稳定,适用于嵌入式系统、网络设备、工业控制器和通信设备等高性能系统。

应用

IS27HC010-45PL 广泛应用于需要高速存储和低功耗特性的电子设备中。常见应用包括工业控制系统、嵌入式系统、网络设备、路由器、通信模块、数据采集设备、视频处理系统以及便携式电子设备。由于其高速访问时间和低功耗特性,IS27HC010-45PL 也常被用于缓存存储器或临时数据存储单元,以提升系统运行效率。

替代型号

IS27HC010-45L, IS27HC010-55L, CY62148EVLL, CY62148EALL, IDT71V416SA

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