IS27HC010-45PL 时间：2025/9/1 12:26:41 阅读：22

IS27HC010-45PL 是由 Integrated Silicon Solution, Inc.（ISSI）制造的一款高速CMOS静态随机存取存储器（SRAM）芯片。该器件属于高速SRAM系列，专为需要高速访问时间和低功耗应用而设计。IS27HC010-45PL 采用CMOS技术制造，提供128K x 8位的存储容量，适用于各种需要高速数据存储的电子系统。

参数

存储容量：128K x 8位
　　访问时间：45ns
　　电源电压：5V
　　封装类型：PLCC（Plastic Leaded Chip Carrier）
　　引脚数：52
　　工作温度范围：工业级（-40°C 至 +85°C）
　　功耗：典型工作电流约120mA（待机电流低于10mA）
　　数据保持电压：最小2V
　　封装尺寸：根据具体封装不同而异

特性

IS27HC010-45PL 是一款高性能SRAM芯片，其核心特性之一是高速访问时间，仅需45纳秒即可完成数据读取操作，这使其非常适合用于需要快速数据处理的应用场景。芯片采用CMOS技术，具备低功耗特性，在待机模式下电流消耗极低，有助于延长设备的电池寿命并减少热量产生。此外，IS27HC010-45PL 工作电压为5V，具有良好的电压容限，可在2V至5.5V范围内保持数据完整性，确保在电源波动情况下数据不会丢失。
　　该SRAM芯片采用PLCC封装，具有较好的机械稳定性和热稳定性，适用于工业环境下的各种应用。其128K x 8位的存储结构提供了较大的数据存储空间，适用于缓存、临时数据存储以及需要频繁读写的应用。芯片的读写操作无需刷新，操作简单且稳定，适用于嵌入式系统、网络设备、工业控制器和通信设备等高性能系统。

应用

IS27HC010-45PL 广泛应用于需要高速存储和低功耗特性的电子设备中。常见应用包括工业控制系统、嵌入式系统、网络设备、路由器、通信模块、数据采集设备、视频处理系统以及便携式电子设备。由于其高速访问时间和低功耗特性，IS27HC010-45PL 也常被用于缓存存储器或临时数据存储单元，以提升系统运行效率。