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IS25WP020E-JNLE-TR 发布时间 时间:2025/12/28 18:45:23 查看 阅读:20

IS25WP020E-JNLE-TR 是 ISSI(Integrated Silicon Solution Inc.)公司推出的一款串行 NOR Flash 存储器芯片。该芯片具有高性能和低功耗特性,广泛应用于嵌入式系统、消费电子、工业控制和网络设备中。该器件采用 8 引脚 SOIC 封装,支持标准的 SPI(Serial Peripheral Interface)通信协议,适用于需要可靠数据存储的场景。

参数

容量:2Mbit(256K x 8)
  电压范围:2.3V 至 3.6V
  工作温度:-40°C 至 +85°C
  封装类型:8 引脚 SOIC
  接口类型:SPI
  时钟频率:最高 80MHz
  编程/擦除电压:内部电荷泵
  写保护功能:软件和硬件写保护
  擦除周期:100,000 次
  数据保持时间:10 年
  

特性

IS25WP020E-JNLE-TR 具有低功耗、高性能和高可靠性等特点。该芯片支持多种低功耗模式,包括待机模式和掉电模式,有助于延长电池供电设备的使用寿命。其 SPI 接口可兼容多种主控芯片,便于系统集成。此外,该芯片内置软件和硬件写保护功能,防止误写入和数据损坏。芯片支持快速读取、页编程和块擦除操作,适用于频繁更新和存储数据的应用场景。
  该芯片的擦写次数可达 100,000 次,数据保持时间长达 10 年,满足高可靠性要求的应用。此外,IS25WP020E-JNLE-TR 提供了灵活的存储管理功能,包括块锁定和一次性可编程(OTP)区域,可用于存储安全密钥或配置信息。

应用

IS25WP020E-JNLE-TR 适用于多种嵌入式系统和电子设备,包括但不限于工业控制、通信模块、传感器节点、智能卡终端、消费电子产品和物联网(IoT)设备。由于其高可靠性和低功耗特性,该芯片常用于需要长期数据存储和频繁更新的场合,例如固件存储、配置信息保存、日志记录以及安全认证模块。在智能家居设备、穿戴式电子产品和无线传感器网络中,该芯片能够提供稳定的数据存储解决方案。

替代型号

IS25LW020A-JNLE-TR, SST25WF020, MX25L2006E, W25Q20JV

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IS25WP020E-JNLE-TR参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格3,000 : ¥2.47660卷带(TR)
  • 系列-
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 存储器类型非易失
  • 存储器格式闪存
  • 技术FLASH - NOR(SLC)
  • 存储容量2Mb
  • 存储器组织256K x 8
  • 存储器接口SPI - 四 I/O,QPI
  • 时钟频率104 MHz
  • 写周期时间 - 字,页40μs,1.2ms
  • 访问时间8 ns
  • 电压 - 供电1.7V ~ 1.95V
  • 工作温度-40°C ~ 105°C(TA)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
  • 供应商器件封装8-SOP