类型：N沟道
　　漏源电压(Vds)：500V
　　连续漏极电流(Id)：18A @ 25°C（Tc）
　　功耗(Pd)：125W
　　导通电阻(Rds(on))：0.225Ω @ Vgs = 10V
　　栅极电压(Vgs)：±30V
　　工作温度：-55°C ~ +150°C
　　封装：TO-220-3

TMCS50E1H225MTF具备多个关键特性，使其在功率电子设计中具有广泛应用。其高击穿电压（500V）确保了在高压系统中的稳定运行，同时低导通电阻（Rds(on)）减少了导通损耗，提高了整体效率。该MOSFET采用了先进的平面技术，优化了热性能，使得器件在高负载条件下也能保持良好的散热能力。
　　此外，TMCS50E1H225MTF的封装形式为TO-220，适用于标准的通孔安装，便于在各种PCB设计中集成。其高栅极稳定性（±30V）使其在不同的驱动条件下都能保持良好的工作状态，降低了栅极驱动电路设计的复杂度。该器件还具备较高的短路耐受能力，适合用于需要频繁开关操作的系统中。
　　在可靠性方面，Vishay的Si系列MOSFET具有良好的长期稳定性，符合工业级和汽车级可靠性标准。该器件还具备良好的抗雪崩能力，能够在瞬态过电压条件下保持安全工作。

TMCS50E1H225MTF主要应用于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电机控制、工业自动化设备、LED照明驱动、逆变器、不间断电源（UPS）以及各种功率控制电路。由于其高耐压特性和良好的导通性能，该器件也常用于需要高效能功率管理的消费类电子产品和工业设备中。
　　在家电控制中，TMCS50E1H225MTF可用于变频空调、洗衣机等设备中的电机驱动系统。在工业自动化系统中，它可用于PLC控制模块和伺服驱动器中的功率开关电路。此外，该MOSFET还可用于太阳能逆变器和储能系统的功率转换环节，提供高效稳定的能量传输。

建议替代型号包括：TMCS50E1H225M（TO-220AB封装）、TMCS50E1K225MTF（D2PAK封装）或STP18N50M5。这些型号在电气性能和封装形式上与TMCS50E1H225MTF相似，但具体替代应参考实际应用需求及制造商的数据手册。