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IS25LP512M-RMLE 发布时间 时间:2025/5/12 12:06:37 查看 阅读:3

IS25LP512M-RMLE 是一款高性能、低功耗的串行闪存芯片,基于 SPI(Serial Peripheral Interface)接口设计。该器件具备 64Mb 的存储容量,支持多种高速读写模式,适用于需要快速数据传输和稳定存储的应用场景。
  该芯片广泛应用于消费电子、工业控制、通信设备等领域,能够为系统提供可靠的代码存储和数据记录功能。

参数

存储容量:64Mb
  接口类型:SPI
  工作电压:2.7V 至 3.6V
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C
  数据保留时间:20 年
  擦写耐久性:100,000 次
  封装形式:WSON8
  最大时钟频率:104MHz

特性

IS25LP512M-RMLE 支持多种高级操作模式,包括双 I/O 和四 I/O 高速读取模式,从而显著提升数据吞吐量。
  该芯片内置了可配置的上电保护机制,防止在电源波动期间发生意外写入或擦除操作。
  此外,它还支持灵活的扇区保护功能,允许用户对特定区域进行写保护,确保关键数据的安全性。
  芯片还具备低功耗待机模式,非常适合电池供电设备。

应用

IS25LP512M-RMLE 主要应用于需要高可靠性存储的场合,例如固件存储、历史数据记录以及实时参数备份等。
  其典型应用场景包括但不限于:
  - 消费类电子产品中的代码存储,如数码相机、智能音箱等。
  - 工业自动化设备中的程序存储。
  - 通信模块中的配置文件保存。
  - 医疗设备中的数据日志记录。

替代型号

IS25LP064M-RMLE
  MX25L6433F
  GD25Q64C

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IS25LP512M-RMLE参数

  • 现有数量2,072现货
  • 价格1 : ¥79.50000管件
  • 系列-
  • 包装管件
  • 产品状态停产
  • 存储器类型非易失
  • 存储器格式闪存
  • 技术FLASH - NOR
  • 存储容量512Mb
  • 存储器组织64M x 8
  • 存储器接口SPI - 四 I/O,QPI,DTR
  • 时钟频率133 MHz
  • 写周期时间 - 字,页1.6ms
  • 访问时间-
  • 电压 - 供电2.3V ~ 3.6V
  • 工作温度-40°C ~ 105°C(TA)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳16-SOIC(0.295",7.50mm 宽)
  • 供应商器件封装16-SOIC