IS25LP512M-JLLE-TR是一款由ISSI(Integrated Silicon Solution, Inc.)制造的高性能、低功耗的串行NOR闪存芯片,容量为512Mb(64MB),支持高速读写操作。该器件采用标准的SPI(Serial Peripheral Interface)协议进行通信,适用于各种嵌入式系统和需要非易失性存储器的场合。该芯片采用8引脚或16引脚SOIC或TSSOP封装,适用于工业级温度范围(-40°C至+85°C)。该芯片广泛用于代码存储、数据记录、固件存储等应用场景。
容量:512Mb
电压范围:2.3V至3.6V
接口类型:SPI(单线、双线、四线SPI)
最大时钟频率:133MHz
读取速度:108MHz(四线输出读取)
写入/编程速度:2.7MB/s(页编程)
擦除时间:35ms(扇区擦除)、20ms(块擦除)
封装类型:8-SOIC、16-TSSOP
温度范围:工业级(-40°C至+85°C)
工作电流:典型值10mA(读取模式)
待机电流:典型值5uA
页面大小:256字节
扇区大小:4KB
块大小:64KB
IS25LP512M-JLLE-TR具有多项先进特性,使其适用于高性能嵌入式应用。首先,该芯片支持多种SPI模式,包括单线、双线和四线SPI,显著提升了数据吞吐量和通信效率。其高速读取能力达到108MHz,适用于需要快速启动和执行代码的应用,如图形显示控制器、网络设备和智能卡系统。
其次,该芯片具有优异的低功耗性能,在待机模式下仅消耗5uA电流,非常适合电池供电设备或对能耗有严格要求的应用场景。其灵活的擦写机制支持4KB扇区擦除和64KB块擦除,并具有较短的擦除时间(35ms扇区擦除,20ms块擦除),有助于提高系统效率并减少写入等待时间。
此外,IS25LP512M-JLLE-TR支持高达100,000次的编程/擦除周期,具有较长的使用寿命。其内置的错误检测机制和ECC(错误校正码)功能可提高数据可靠性。该芯片还支持软件和硬件写保护功能,防止意外数据写入或擦除,保障系统稳定性。
在封装方面,该芯片提供8引脚SOIC和16引脚TSSOP等多种封装形式,便于在不同PCB布局中使用。其工业级温度范围(-40°C至+85°C)使其适用于严苛的工业和车载环境。
IS25LP512M-JLLE-TR广泛应用于需要大容量、高速、低功耗非易失性存储器的各种嵌入式系统和电子设备中。典型应用包括:
1. 固件存储:用于存储微控制器(MCU)、数字信号处理器(DSP)或现场可编程门阵列(FPGA)的启动代码和固件,确保设备快速启动和可靠运行。
2. 图形显示设备:如TFT LCD控制器、HMI(人机界面)设备,用于存储图形数据、字体库和界面资源。
3. 通信设备:如路由器、交换机、工业网关等网络设备,用于存储配置信息、日志数据和升级固件。
4. 工业控制与自动化:用于PLC(可编程逻辑控制器)、传感器模块和远程监控设备中的数据记录和参数存储。
5. 消费类电子产品:如智能手表、穿戴设备、智能家居控制器等,满足其对低功耗和小尺寸封装的需求。
6. 车载电子系统:如车载信息娱乐系统(IVI)、行车记录仪、车载摄像头模块等,得益于其宽温范围和高可靠性。
IS25WP512M-JLLE-TR, S25FL512SAGMFI011, MX25L512EMDI-12G