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IS25LP128F-JLLE-TR 发布时间 时间:2025/9/1 16:02:57 查看 阅读:11

IS25LP128F-JLLE-TR是一款由ISSI(Integrated Silicon Solution, Inc.)制造的高性能、低功耗串行闪存(Serial Flash)存储器芯片,容量为128Mbit(即16MB)。该芯片采用标准的SPI(Serial Peripheral Interface)通信协议,支持单线、双线和四线SPI模式,使其在数据读写速度和接口灵活性方面表现出色。IS25LP128F-JLLE-TR广泛应用于需要非易失性存储的嵌入式系统、工业控制设备、网络设备和消费电子产品中。

参数

容量:128Mbit(16MB)
  电压范围:2.3V至3.6V
  接口类型:SPI(支持单线、双线、四线模式)
  最大时钟频率:104MHz
  读取模式:标准SPI、快速SPI、Dual SPI、Quad SPI
  工作温度范围:-40°C至+85°C
  封装形式:WSON8(8引脚WSON,5mm x 6mm)
  擦除块大小:4KB、32KB、64KB
  编程页大小:256字节
  可靠性:100,000次编程/擦除周期
  数据保留时间:10年

特性

IS25LP128F-JLLE-TR具备多项先进的性能和功能,适用于各种嵌入式应用环境。
  首先,该芯片支持多种SPI读写模式,包括标准SPI(Single SPI)、快速SPI(Fast SPI)、双线SPI(Dual SPI)和四线SPI(Quad SPI),这大大提升了数据传输速率和系统效率,特别是在需要频繁读取或写入大量数据的应用场景中,如固件更新、日志记录等。
  其次,IS25LP128F-JLLE-TR具备灵活的存储管理功能。它支持4KB、32KB和64KB的擦除块大小,允许用户根据具体需求进行数据管理,从而优化存储空间的使用效率并减少不必要的擦除操作。同时,每个页大小为256字节,支持页编程操作,确保了快速、高效的数据写入。
  该芯片的工作电压范围为2.3V至3.6V,适用于多种低功耗应用场景,且具备良好的功耗控制机制,支持多种低功耗模式,包括休眠模式和待机模式,有助于延长电池供电设备的续航时间。
  此外,IS25LP128F-JLLE-TR具有高可靠性和长寿命,可承受高达100,000次的编程/擦除周期,并且数据可保留长达10年,确保了数据的长期稳定存储。其工作温度范围为-40°C至+85°C,适用于工业级应用环境,能够在严苛的温度条件下稳定工作。
  该芯片还集成了多种保护机制,如硬件写保护和软件写保护,可防止意外的数据写入或擦除操作,保障关键数据的安全性和完整性。

应用

IS25LP128F-JLLE-TR广泛应用于多种嵌入式系统和电子设备中,如工业自动化控制器、通信设备、医疗设备、消费电子产品(如智能手表、智能家居设备)、汽车电子系统(如车载导航系统、ECU模块)以及物联网(IoT)设备。由于其高容量、低功耗和多模式接口支持,IS25LP128F-JLLE-TR特别适合需要频繁更新固件、存储大量配置数据或执行日志记录功能的设备。

替代型号

Winbond W25Q128JV, Macronix MX25L12835F, Micron N25Q128A

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IS25LP128F-JLLE-TR参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格4,000 : ¥14.82208卷带(TR)
  • 系列-
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 存储器类型非易失
  • 存储器格式闪存
  • 技术FLASH - NOR
  • 存储容量128Mb
  • 存储器组织16M x 8
  • 存储器接口SPI - 四 I/O,QPI,DTR
  • 时钟频率133 MHz
  • 写周期时间 - 字,页800μs
  • 访问时间-
  • 电压 - 供电2.3V ~ 3.6V
  • 工作温度-40°C ~ 105°C(TA)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳8-WDFN 裸露焊盘
  • 供应商器件封装8-WSON(8x6)