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IS25LP080D-JNLE-TR 发布时间 时间:2025/5/8 17:06:30 查看 阅读:10

IS25LP080D-JNLE-TR 是一款由 ISSI(Integrated Silicon Solution, Inc.)生产的串行 NOR Flash 存储芯片。该器件采用 SPI 接口,支持标准 SPI、双 I/O 和四 I/O 模式,具有快速读取和低功耗的特点,适用于需要高可靠性和小封装的应用场景。
  该型号的存储容量为 1Mb(128K x 8),工作电压范围为 2.7V 至 3.6V,适合多种嵌入式系统设计,如消费电子、网络设备和工业控制等。

参数

容量:1Mb (128K x 8)
  接口类型:SPI
  工作电压:2.7V ~ 3.6V
  工作温度范围:-40°C ~ +85°C
  封装形式:8-SOIC
  数据保存时间:20年
  擦写周期:100,000 次

特性

IS25LP080D-JNLE-TR 具有以下主要特性:
  1. 支持标准 SPI、Dual SPI 和 Quad SPI 操作模式,可灵活满足不同的应用需求。
  2. 内置硬件写保护功能,有效防止数据意外修改。
  3. 高速读取能力,最高时钟频率可达 104MHz(在 Quad SPI 模式下)。
  4. 提供 Sector Erase、Bulk Erase 等多种擦除选项,方便用户管理存储区域。
  5. 封装小巧,引脚排列合理,易于集成到 PCB 设计中。
  6. 符合 RoHS 标准,环保且可靠性高。
  7. 工作温度范围广,能够在恶劣环境下稳定运行。

应用

IS25LP080D-JNLE-TR 广泛应用于以下领域:
  1. 嵌入式系统中的代码存储与数据记录。
  2. 消费类电子产品,如数码相机、机顶盒、智能家电等。
  3. 工业自动化设备,用于固件升级或参数备份。
  4. 通信及网络设备中的配置文件存储。
  5. 医疗设备中的关键数据存储模块。
  6. 物联网终端节点的数据缓存与日志记录。

替代型号

IS25LP016D-JNLE-TR
  MX25L0806E-TI-1G
  W25Q80BVSNIG

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IS25LP080D-JNLE-TR参数

  • 现有数量142,784现货
  • 价格1 : ¥6.52000剪切带(CT)3,000 : ¥4.63956卷带(TR)
  • 系列-
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态在售
  • 存储器类型非易失
  • 存储器格式闪存
  • 技术FLASH - NOR
  • 存储容量8Mb
  • 存储器组织1M x 8
  • 存储器接口SPI - 四 I/O,QPI,DTR
  • 时钟频率133 MHz
  • 写周期时间 - 字,页800μs
  • 访问时间-
  • 电压 - 供电2.3V ~ 3.6V
  • 工作温度-40°C ~ 105°C(TA)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
  • 供应商器件封装8-SOIC