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IS25LP064D-RMLE-TR 发布时间 时间:2025/12/28 18:27:49 查看 阅读:38

IS25LP064D-RMLE-TR是一款由ISSI(Integrated Silicon Solution, Inc.)制造的高性能、低功耗串行闪存存储器芯片,属于SPI NOR Flash存储器类别。该器件提供64Mbit的存储容量,适用于需要快速读取、高可靠性及低功耗特性的嵌入式系统应用,例如工业控制、汽车电子、消费类电子产品和通信设备。该芯片采用标准的SPI(Serial Peripheral Interface)接口进行通信,支持单线、双线和四线(Single/Dual/Quad SPI)模式,具有较高的数据传输效率。此外,IS25LP064D-RMLE-TR采用8引脚SOIC封装,符合RoHS环保标准,工作温度范围为工业级(-40°C至+85°C),适用于严苛的工业环境。

参数

容量:64Mbit
  电压范围:2.3V至3.6V
  接口类型:SPI(支持单线、双线、四线模式)
  最大时钟频率:80MHz
  工作温度范围:-40°C至+85°C
  封装类型:8引脚SOIC
  读取模式:标准SPI、Dual SPI、Quad SPI
  编程页大小:256字节
  擦除块大小:4KB、32KB、64KB
  数据保持时间:大于20年
  编程/擦写周期:100,000次

特性

IS25LP064D-RMLE-TR具备多项先进的性能特性,确保其在多种应用场景下的稳定性和高效性。首先,该芯片支持高速SPI接口,最高时钟频率可达80MHz,显著提高了数据读取和写入速度,满足实时系统对快速响应的需求。其次,其支持多种擦除粒度,包括4KB、32KB和64KB块擦除模式,提供了灵活的存储管理方式,适应不同的数据更新需求。此外,该器件具备卓越的耐用性和数据保持能力,支持10万次编程/擦除周期,数据保存时间超过20年,适用于对数据可靠性要求极高的工业和汽车应用。IS25LP064D-RMLE-TR还内置先进的写保护机制,包括软件写保护和硬件写保护引脚(WP#),防止意外写入或擦除操作,确保关键数据的安全性。该芯片采用低功耗设计,在待机模式下电流消耗极低,适合电池供电设备使用。最后,该芯片符合工业级温度范围要求(-40°C至+85°C),确保其在各种恶劣环境条件下的稳定运行。

应用

IS25LP064D-RMLE-TR广泛应用于各类嵌入式系统中,尤其适用于需要高可靠性、低功耗和较大存储容量的场景。典型应用包括工业自动化控制设备中的固件存储、汽车电子系统(如仪表盘、ADAS系统)中的程序存储、智能家居设备和消费电子产品中的启动代码和配置数据存储、通信设备中的引导ROM替代方案、以及物联网(IoT)设备中的固件更新与数据日志记录。由于其SPI接口的通用性和高速特性,该芯片也常用于FPGA、微控制器系统和图像处理设备中的外部存储扩展。

替代型号

Winbond W25Q64JV
  Microchip SST25VF064C
  Cypress S25FL164K
  ST M25P64

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IS25LP064D-RMLE-TR参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格1,000 : ¥11.28226卷带(TR)
  • 系列Automotive, AEC-Q100
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 存储器类型非易失
  • 存储器格式闪存
  • 技术FLASH - NOR(SLC)
  • 存储容量64Mbit
  • 存储器组织8M x 8
  • 存储器接口SPI - 四 I/O,QPI,DTR
  • 时钟频率166 MHz
  • 写周期时间 - 字,页40μs,800μs
  • 访问时间-
  • 电压 - 供电2.3V ~ 3.6V
  • 工作温度-40°C ~ 105°C(TA)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳16-SOIC(0.295",7.50mm 宽)
  • 供应商器件封装16-SOIC