IS25LP016D-JNLE-TR 是一种高性能、低功耗的串行 NOR Flash 存储器,采用 SPI(Serial Peripheral Interface)协议进行数据通信。该器件具有 2 Mb 的存储容量(256 K x 8),支持高速读取和写入操作,广泛适用于需要高可靠性和快速响应的应用场景。
其封装形式为 WSON8 小型封装,适合空间受限的设计需求。此外,该芯片具备多种功能特性,如深度掉电模式、软件保护机制等,能够满足现代电子设备对存储器的多样化要求。
容量:2 Mb
电压范围:2.7V 至 3.6V
工作温度范围:-40°C 至 +85°C
接口类型:SPI
最大时钟频率:104 MHz
数据保留时间:20 年
擦除/编程耐久性:100,000 次
封装形式:WSON8
引脚数量:8
IS25LP016D-JNLE-TR 提供了多项先进的功能以增强性能和可靠性:
1. 高速 SPI 接口支持高达 104 MHz 的时钟频率,确保快速的数据传输。
2. 支持 Quad SPI 模式,进一步提升读取速度。
3. 内置的 Sector Protect 功能可以防止意外写入或擦除。
4. 深度掉电模式(Deep Power-down Mode)可将待机电流降低至 1 μA 以下,延长电池寿命。
5. 具备软件写保护功能,用户可以通过命令设置写保护状态。
6. 支持标准 SPI 指令集,便于与其他系统集成。
7. 符合 RoHS 标准,环保且安全。
该芯片适用于多种需要非易失性存储的应用场景,包括但不限于:
1. 嵌入式系统的代码存储。
2. 工业控制设备中的配置参数保存。
3. 消费类电子产品,如家用电器和便携式设备中的固件升级支持。
4. 网络通信设备的引导程序存储。
5. 医疗设备中关键数据的记录与保存。
6. 物联网(IoT)节点的存储需求。
IS25LP032D-JNLE-TR
IS25LP064D-JNLE-TR
GD25Q16C