IRSM636-015MB 时间：2025/5/22 1:13:41 阅读：9

IRSM636-015MB是英飞凌（Infineon）推出的MOSFET功率晶体管，采用小型化SMD封装设计。该器件主要适用于开关电源、电机驱动以及负载切换等应用场合。其低导通电阻和优化的电气性能使得该器件在高频开关应用中表现出色，同时具备良好的热性能和可靠性。
　　IRSM636-015MB基于先进的硅工艺制造，属于N沟道增强型MOSFET。它通过降低导通损耗和开关损耗来提升效率，适合对能效要求较高的应用环境。

参数

最大漏源电压：60V
　　最大连续漏极电流：24A
　　导通电阻（Rds(on)）：1.5mΩ
　　栅极电荷：49nC
　　输入电容：2850pF
　　功耗：105W
　　工作结温范围：-55℃至175℃

特性

IRSM636-015MB具有以下关键特性：
　　1. 极低的导通电阻（Rds(on)），可显著降低传导损耗，提高整体系统效率。
　　2. 较小的封装尺寸，有助于节省PCB空间，适合紧凑型设计。
　　3. 高额定电流能力，支持大功率应用场景。
　　4. 支持高频率开关操作，能够满足现代电力电子设备的需求。
　　5. 提供卓越的热稳定性和抗浪涌能力。
　　6. 符合RoHS标准，环保且安全可靠。

应用

该芯片广泛应用于以下领域：
　　1. 开关模式电源（SMPS），包括AC-DC适配器和充电器。
　　2. 直流无刷电机驱动，例如家电中的风扇或水泵控制。
　　3. 工业自动化设备中的负载切换和保护电路。
　　4. 汽车电子中的电池管理系统和电机控制。
　　5. 各类消费类电子产品中的高效功率转换模块。