类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：100V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：30A
　　导通电阻（Rds(on)）：约50mΩ（典型值，Vgs=10V）
　　功耗（Pd）：150W
　　工作温度范围：-55℃至150℃
　　封装形式：TO-252（DPAK）

CJU30N10 MOSFET具有多项优异的电气和热性能特点，使其适用于各种中高功率应用。首先，其100V的漏源电压额定值允许在多种电源拓扑结构中使用，包括降压、升压和反激式转换器。其次，高达30A的连续漏极电流能力使其能够处理较大的负载电流，适用于高效能电源系统。此外，CJU30N10的导通电阻较低（通常为50毫欧），这有助于降低导通损耗并提高整体系统效率。该器件还具备良好的热稳定性，采用TO-252封装可以有效散热，适用于高功率密度设计。其±20V的栅源电压耐受能力提供了更高的抗过压保护，避免在复杂环境中因栅极电压波动而损坏。最后，CJU30N10在高温环境下仍能保持稳定的工作性能，适合工业级和车载应用。
　　值得一提的是，CJU30N10的设计考虑了高频开关应用的需求，其开关损耗相对较低，有利于提高电源系统的开关频率并减小外围元件的体积。同时，其内部结构优化减少了寄生电容，从而提升了高频响应和动态性能。此外，该器件的封装形式便于PCB布局和焊接，适合自动化生产和大规模应用。

CJU30N10 MOSFET主要应用于各种中高功率电源系统中，包括但不限于以下领域：1. 开关电源（SMPS）中的主开关元件，适用于反激式、正激式、半桥和全桥拓扑结构；2. DC-DC转换器中的高边或低边开关，用于调节电压和电流；3. 电池管理系统中的充放电控制开关；4. 电机驱动电路中的H桥结构，用于控制直流电机或步进电机的转向和速度；5. LED照明驱动电路中的恒流控制；6. 工业自动化设备中的功率开关模块；7. 车载电子设备中的电源转换模块，如车载充电器或逆变器。由于其良好的热稳定性和较高的电流能力，CJU30N10也适用于需要长时间运行的高可靠性系统。

SiHF30N10、STP30NF10、IRF30N10、IPD30N10、AP30N10、UTC30N10