类型：半桥栅极驱动器
　　输出通道数：2
　　工作电压（VDD）：10V 至 20V
　　高压侧额定电压（VS）：-5V 至 600V
　　低压侧输入逻辑类型：CMOS/TTL兼容
　　峰值输出电流：270mA（源）/430mA（灌）
　　传播延迟时间：典型值120ns
　　上升时间（typ）：50ns（1000pF负载）
　　下降时间（typ）：30ns（1000pF负载）
　　死区时间：典型值500ns
　　工作温度范围：-40°C 至 +125°C
　　封装类型：SO-8D
　　隔离电压（Viso）：1500Vrms（min）
　　输入电阻（Rin）：约10kΩ
　　静态电流（ICC）：小于2.5mA
　　关断状态电流（IS）：小于200μA

IRS2168DS具备卓越的高压电平位移能力，使其能够在浮动高侧配置下稳定驱动N沟道MOSFET或IGBT。这一特性基于英飞凌成熟的BCD工艺技术和自举电路支持机制，允许高侧驱动器在600V总线电压下正常工作。芯片内部集成了独立的高端和低端驱动通道，每个通道均可提供高达270mA的源电流和430mA的灌电流能力，足以快速充放电功率器件的栅极电容，从而显著减少开关损耗并提升系统效率。
　　该器件具有优异的抗噪声性能，得益于其内置的负电压耐受能力和dV/dt抗扰度设计。即使在极端的开关瞬态条件下，也能防止误触发和误导通现象的发生。其CMOS/TTL兼容输入接口简化了与微控制器、DSP或PWM控制器的连接，增强了系统设计的灵活性。
　　IRS2168DS还配备了完善的欠压锁定（UVLO）保护机制，当VCC或VBUS电压低于安全阈值时，会自动禁用输出以防止弱驱动导致的器件过热。同时，内部固定的死区时间控制有效避免了上下桥臂直通短路的风险，提升了功率级的安全性。
　　此外，该芯片在热稳定性方面表现出色，在宽温范围内（-40°C至+125°C）仍能保持稳定的电气参数。SO-8D封装不仅减小了PCB占用面积，还具备良好的散热性能。由于无需使用光耦进行信号隔离，IRS2168DS降低了外围元件数量和系统成本，同时提高了长期工作的可靠性。这些综合优势使其成为工业电机驱动、DC-AC逆变器、感应加热和数字电源等应用中的理想选择。

IRS2168DS广泛应用于各类需要半桥拓扑结构的电力电子系统中。典型应用包括交流电机驱动器，尤其是在家用电器如洗衣机、空调压缩机控制中，用于驱动逆变桥臂实现变频调速。在太阳能微型逆变器和储能系统中，它被用来构建高频DC-AC转换电路，配合MPPT算法提升能源转换效率。
　　在工业自动化领域，该芯片常用于伺服驱动器和可编程逻辑控制器（PLC）中的功率级驱动模块，提供精确且可靠的栅极控制信号。此外，在不间断电源（UPS）和开关模式电源（SMPS）中，IRS2168DS可用于LLC谐振变换器或有源钳位反激拓扑的同步整流控制，帮助实现高功率密度和低待机功耗的设计目标。
　　由于其高耐压特性和紧凑封装，IRS2168DS也适用于紧凑型照明电源，例如LED街灯驱动器或商业照明镇流器，其中需要将直流母线电压高效转换为恒流输出。在电动汽车充电桩的辅助电源部分，该器件同样发挥着重要作用，驱动PFC（功率因数校正）电路中的升压开关管。
　　此外，在感应加热设备如电磁炉或工业加热系统中，IRS2168DS用于控制串联谐振逆变器的桥式开关，确保高频振荡的稳定生成。凭借其出色的抗干扰能力和温度适应性，该芯片还能在恶劣工业环境中长期运行，是实现高效、节能、小型化电源解决方案的关键组件之一。

IRS2186S
　　IRS2110S
　　IR2113
　　UCC27531