IRS2110PBF 是一款由英飞凌(Infineon)推出的高压浮置栅极驱动芯片,专为半桥配置中的高速 MOSFET 或 IGBT 开关设计。该器件内部集成了自举二极管,可简化电路设计并减少外部元件数量。IRS2110PBF 具有高侧和低侧输出驱动器,能够提供高达 4A 的峰值驱动电流,适用于各种功率转换应用。
工作电压:15V 至 30V
逻辑输入电压范围:3.3V 至 15V
峰值输出电流:±4A
传播延迟:50ns(典型值)
延迟匹配:±25ns(典型值)
浮置通道额定电压:600V
工作温度范围:-40°C 至 +125°C
封装形式:SOIC-8
IRS2110PBF 提供了多种优异的性能特点,使其成为高效功率转换的理想选择。
1. 内置自举二极管,整体 BOM 成本。
2. 高侧驱动悬浮能力可达 600V,确保在高压环境下的稳定运行。
3. 支持宽泛的工作电压范围,适应性更强。
4. 快速的开关速度与精确的延迟匹配,有效减小死区时间控制误差。
5. 工作温度范围广,可在极端环境下可靠运行。
6. 输出驱动电流大,能够快速驱动大容量 MOSFET 和 IGBT 器件。
7. 输入兼容标准 CMOS 和 LSTTL 电平,便于与各类控制器连接。
IRS2110PBF 广泛应用于需要高效功率转换的各种领域。
1. 开关电源(SMPS)
2. 直流-直流转换器
3. 电机驱动
4. 荧光灯电子镇流器
5. 太阳能逆变器
6. 电池充电器
7. 各类工业控制设备
由于其出色的驱动能力和可靠性,IRS2110PBF 在中高功率应用场合表现尤为突出。
IRS2111PBF
IRS2106PBF
IRS2107PBF