类型：半桥栅极驱动器
　　输出通道数：2
　　配置：高边/低边驱动
　　供电电压（VDD）：10V 至 20V
　　逻辑输入电压兼容性：CMOS/TTL 兼容
　　峰值输出电流：+2A/-2A（典型值）
　　高侧偏置电压（VB-VS）：最大600V
　　低侧接地电压（VS-GND）：0V
　　输入逻辑极性：非反相（IN_A控制上管，IN_B控制下管）
　　传播延迟时间：典型值约200ns
　　上升时间（tr）：典型值40ns（1000pF负载）
　　下降时间（tf）：典型值30ns（1000pF负载）
　　输入-输出传播延迟匹配：±10ns
　　工作温度范围：-40°C 至 +125°C
　　封装形式：SOIC-8（宽体）
　　集成自举二极管：有

IRS20957具备卓越的高电压电平位移技术，允许高端浮地运行至600V，适用于交流和直流电源系统中的半桥拓扑结构。其内部采用先进的BCD工艺制造，结合高压结隔离技术，确保了在高共模瞬态干扰（dV/dt）环境下仍能保持稳定可靠的信号传输。该驱动器使用了真差分电平位移架构，相较于传统的脉冲变压器或光耦方案，具有更高的响应速度、更长的使用寿命以及更低的功耗。这种设计显著提升了系统在高频开关条件下的稳定性，避免了因误触发导致的功率器件损坏。
　　该芯片提供独立的高端和低端输出引脚（HO 和 LO），每个输出均可提供高达2A的峰值拉电流和灌电流能力，能够快速充放电功率管的栅极电容，从而有效降低开关过渡时间，减少开关损耗，提高整体电源转换效率。同时，输出级采用了推挽式结构，具备良好的驱动能力和热稳定性，即使在重载条件下也能维持稳定的驱动性能。
　　IRS20957集成了完善的欠压锁定（UVLO）保护机制，针对高端和低端部分分别设置独立的阈值检测。当VCC或VB-VS电压低于设定阈值时，对应输出将被强制关闭，防止功率器件工作在非饱和区造成过热或失效。UVLO具有迟滞特性，增强了抗干扰能力。此外，内部逻辑电路实现了硬件级互锁功能，在上下管控制信号同时有效时自动插入死区时间，防止桥臂直通引发短路事故。
　　该器件支持CMOS/TTL兼容输入，逻辑输入阈值明确，响应速度快，适合与数字控制器（如MCU、DSP或PWM控制器）直接连接，无需额外电平转换电路。输入端设有施密特触发器，增强了抗噪声能力，尤其适用于电磁环境复杂的工业现场。另外，片内集成的自举二极管取代了传统外接快恢复二极管，不仅节省PCB空间，还避免了因外部二极管反向恢复电荷引起的误开通风险，进一步提升系统可靠性。
　　IRS20957采用SOIC-8宽体封装，具有较高的爬电距离，满足基本绝缘要求，适合用于离线式电源设计。其小型化封装便于自动化贴装，适用于大规模生产。工作温度范围覆盖-40°C到+125°C，可在恶劣环境温度下稳定运行，适用于工业级应用需求。

IRS20957广泛应用于各类需要高效、可靠驱动功率开关器件的电力电子系统中。常见用途包括无刷直流电机（BLDC）和永磁同步电机（PMSM）的三相逆变驱动电路，作为桥式驱动的核心组件，配合微控制器实现精确的矢量控制或方波调制。在开关电源（SMPS）领域，该芯片常用于有源功率因数校正（PFC）电路中的升压斩波器半桥结构，驱动MOSFET以提高电网侧的功率因数并降低谐波失真。
　　在DC-AC逆变器系统中，如太阳能微型逆变器、UPS不间断电源或家用变频空调中，IRS20957可用于构建全桥或半桥拓扑的初级侧驱动单元，控制IGBT或超结MOSFET进行能量转换。其高抗噪能力和快速响应特性确保在复杂电磁环境中仍能保持稳定工作。
　　此外，该芯片也适用于高频LLC谐振转换器、ZVS/ZCS软开关拓扑中的同步整流或主开关驱动，有助于提升轻载效率和整体能效等级。在LED恒流驱动电源中，当采用SEPIC或Cuk等升降压拓扑时，也可利用IRS20957驱动功率开关对电流进行精确调节。
　　由于其高集成度和简化外围设计的优点，IRS20957特别适合于追求小型化、高效率和高可靠性的现代电源模块开发，在通信电源、工业自动化设备、医疗电源及新能源发电系统中均有广泛应用。

IR2110
　　IR2113
　　IRS21844
　　UCC27531