时间：2025/4/30 18:29:58
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AON6358是一款由Alpha & Omega Semiconductor（万国半导体）推出的N沟道增强型MOSFET。该器件采用超薄的小型DFN封装，具有极低的导通电阻（Rds(on)），适用于需要高效能和紧凑设计的应用场景。
其主要特点包括高效率、小尺寸以及出色的热性能，适合用于便携式设备、计算机外设以及消费类电子产品的电源管理领域。
类型：N沟道 MOSFET
封装：DFN2x2-8L
最大漏源电压(Vdss)：30V
最大栅源电压(Vgs)：±8V
导通电阻(Rds(on))：4.5mΩ @ Vgs=10V
连续漏极电流(Id)：17A @ Tc=25℃
功耗(Ptot)：1.9W @ θja=28℃/W
工作温度范围(Topr)：-55℃ to +150℃
AON6358具有以下显著特性：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），可减少功率损耗并提高系统效率。
2. 小型DFN封装设计，有助于节省PCB空间。
3. 出色的热性能，能够有效处理高电流负载。
4. 高雪崩能力和鲁棒性，增强了器件在恶劣条件下的可靠性。
5. 符合RoHS标准，环保且无卤素材料使用。
这些特性使得AON6358成为各种电源开关应用的理想选择，尤其是在注重能效和空间限制的设计中。
AON6358广泛应用于多种电子设备和系统中，具体包括：
1. DC-DC转换器中的同步整流开关。
2. 负载开关，在便携式设备中实现快速开关功能。
3. 开关模式电源（SMPS）中的功率MOSFET。
4. 消费类电子产品，如笔记本电脑适配器、平板电脑和其他手持设备。
5. 电池管理系统中的保护开关。
AON6358凭借其优异的性能表现，为上述应用场景提供了可靠的解决方案。
AON6357, AOZ6358
