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IRS2008SPBF 发布时间 时间:2025/7/10 21:26:09 查看 阅读:8

IRS2008SPBF是由英飞凌(Infineon)推出的一款高压侧和低压侧驱动器集成电路,广泛应用于半桥配置的功率MOSFET或IGBT驱动。该芯片集成了电平转换功能,可直接由脉宽调制(PWM)控制器输出信号来驱动高端和低端功率开关器件,适用于电机控制、DC-DC转换器、逆变器等应用领域。
  该芯片采用光耦合器或变压器隔离技术,能够实现高低端驱动之间的电气隔离,确保系统的稳定性和安全性。此外,IRS2008SPBF还具有欠压锁定保护(UVLO)、短路保护等功能,提高了整体电路的可靠性。

参数

封装:SOIC-8
  工作电压:Vcc1(高端电源电压):10V至30V,Vcc2(低端电源电压):10V至30V
  最大输出电流:±4A
  输入兼容CMOS/TTL
  传播延迟:典型值50ns
  隔离电压:高达2500Vpeak
  工作温度范围:-40℃至+125℃

特性

IRS2008SPBF的主要特性包括:
  1. 高压侧和低压侧驱动集成在同一芯片中,减少了外部元件数量,简化了PCB设计。
  2. 内置死区时间控制功能,防止上下桥臂直通,提升了系统安全性和效率。
  3. 支持快速开关速度,有助于降低开关损耗并提高工作效率。
  4. 提供完善的保护机制,如欠压锁定保护和短路保护,增强了整个电路的鲁棒性。
  5. 高共模瞬态抗扰度(CMTI),适合高噪声环境下的应用。
  6. 小型SOIC-8封装,节省空间且便于安装。

应用

IRS2008SPBF适用于以下应用场景:
  1. 无刷直流电机(BLDC)驱动器中的功率级控制。
  2. 开关电源(SMPS)和DC-DC转换器中的半桥驱动。
  3. 太阳能逆变器和其他功率转换设备中的功率模块驱动。
  4. 工业自动化设备中的伺服驱动器。
  5. 家用电器和消费电子产品的功率控制部分。
  6. 电动汽车充电器和电池管理系统中的功率管理单元。

替代型号

IRS2098S, IR2108

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IRS2008SPBF参数

  • 现有数量0现货
  • 价格1 : ¥10.97000管件
  • 系列-
  • 包装管件
  • 产品状态最后售卖
  • Digi-Key ProgrammableNot Verified
  • 驱动配置半桥
  • 通道类型同步
  • 驱动器数2
  • 栅极类型N 沟道 MOSFET
  • 电压 - 供电10V ~ 20V
  • 逻辑电压?- VIL,VIH0.8V,2.5V
  • 电流 - 峰值输出(灌入,拉出)290mA,600mA
  • 输入类型非反相
  • 高压侧电压 - 最大值(自举)200 V
  • 上升/下降时间(典型值)70ns,30ns
  • 工作温度-40°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
  • 供应商器件封装8-SOIC