IRM037N3 时间：2025/8/28 0:37:53 阅读：5

IRM037N3是一款由英飞凌（Infineon）生产的N沟道功率MOSFET晶体管，主要用于高功率密度和高效率的电源应用。这款MOSFET采用了先进的技术，具有较低的导通电阻和优异的热性能，能够在高电流和高温条件下稳定运行。IRM037N3通常用于DC-DC转换器、服务器电源、电信电源系统以及工业控制设备中。该器件采用表面贴装封装（通常为PowerPAK SO-8封装），便于自动化生产和节省PCB空间。

参数

类型：N沟道
　　漏源电压（Vds）：30V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：10A（在25°C）
　　导通电阻（Rds(on)）：最大值37mΩ（在Vgs=10V）
　　工作温度范围：-55°C至175°C
　　封装类型：PowerPAK SO-8

特性

IRM037N3具有多个关键特性，使其在高性能电源应用中表现出色。首先，其低导通电阻（Rds(on)）可显著降低导通损耗，提高整体系统效率。其次，该器件采用先进的硅技术和封装设计，提供了良好的热管理能力，确保在高负载和高温环境下仍能保持稳定运行。此外，IRM037N3的栅极驱动电压范围较宽，支持10V至20V之间的驱动电压，适用于多种驱动电路设计。该器件还具备较高的雪崩能量承受能力和过载保护功能，增强了系统的可靠性和稳定性。IRM037N3的表面贴装封装不仅节省了PCB空间，还简化了制造工艺，提高了生产效率。

应用

IRM037N3广泛应用于各种高功率密度和高效率的电源系统中。常见的应用包括DC-DC转换器、同步整流器、服务器电源、电信电源系统、工业控制设备以及电池管理系统。在这些应用中，IRM037N3能够提供高效、稳定的功率转换，帮助设计人员实现更紧凑、更高效的电源解决方案。由于其优异的热性能和可靠性，该器件也适用于需要长时间运行和高负载条件下的工业设备。