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IRM-8601-S 发布时间 时间:2025/8/29 3:41:42 查看 阅读:12

IRM-8601-S 是一款由 IR(International Rectifier,现为 Infineon Technologies)推出的半桥式栅极驱动器集成电路,专为驱动功率MOSFET和IGBT等功率器件设计。该芯片广泛应用于开关电源、电机控制、逆变器和DC-DC转换器等电力电子系统中。IRM-8601-S 采用高电压工艺制造,能够承受较高的电压应力,并提供良好的抗噪能力和驱动性能。

参数

工作电压范围:10V 至 20V
  输出电流能力:高端和低端各为 0.2A(典型值)
  最大工作频率:1MHz
  输入信号兼容 TTL/CMOS 电平
  高端悬浮电压最大可达 600V
  工作温度范围:-40°C 至 +150°C
  封装形式:DIP-14 和 SOIC-14
  欠压锁定保护(UVLO)功能
  内部死区时间控制
  输出端具有短路保护和过热保护功能

特性

IRM-8601-S 的核心特性之一是其半桥驱动结构,包含一个高端浮动驱动器和一个低端驱动器,适用于高边开关和低边开关同时工作的拓扑结构,如半桥变换器和H桥电路。该芯片采用高压电平转换技术,使得高端驱动器能够在高电压环境下正常工作,而不会受到主电路电压的影响。
  此外,IRM-8601-S 集成了欠压锁定(UVLO)功能,当电源电压低于设定阈值时自动关闭输出,防止功率器件在非正常电压下工作导致损坏。其输入端兼容TTL和CMOS逻辑电平,方便与各种控制器连接。
  该芯片还具备较强的抗干扰能力,能够在高噪声环境下稳定工作。其封装形式包括DIP-14和SOIC-14,适用于不同的电路板布局需求。IRM-8601-S 通常用于需要高效、高可靠性和紧凑布局的功率变换系统中。

应用

IRM-8601-S 主要应用于各种电力电子变换器系统中,如开关电源(SMPS)、DC-AC逆变器、DC-DC变换器、电机驱动器以及UPS不间断电源系统等。其半桥驱动结构特别适合用于需要高边与低边交替工作的拓扑结构,例如半桥式变换器、全桥式变换器和推挽式变换器等。
  在电机控制领域,IRM-8601-S 可用于驱动H桥电路,实现对直流电机或无刷直流电机的正反转控制。在太阳能逆变器系统中,该芯片可用于驱动功率MOSFET或IGBT模块,实现高效的能量转换。
  由于其高耐压能力和良好的驱动性能,IRM-8601-S 也常用于工业自动化设备、家电控制模块以及电动车充电器等应用场景。

替代型号

IR2104S, IR2106S, IRS2104S, IRS2106S

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