IRM-3756M3是一款由国际整流器公司(International Rectifier,简称IR)生产的功率MOSFET模块。该模块采用先进的功率半导体技术,具备高效、高可靠性和低导通压降等特点,适用于高功率密度和高效率要求的电源系统。IRM-3756M3广泛应用于电机驱动、电源转换、工业自动化以及新能源系统等领域。该模块集成了多个MOSFET器件,采用紧凑型封装设计,便于散热和安装,适用于高频率开关应用。
类型:功率MOSFET模块
漏源电压(Vds):600V
连续漏极电流(Id):12A
导通电阻(Rds(on)):0.32Ω(典型值)
封装类型:模块式封装
工作温度范围:-55°C至150°C
栅极驱动电压:10V至20V
最大功耗:100W
绝缘耐压:2500Vrms(模块与散热器之间)
IRM-3756M3采用先进的功率MOSFET技术,具有较低的导通电阻和开关损耗,适用于高频开关应用。其模块化设计集成了多个MOSFET芯片,提高了系统的可靠性和功率密度。此外,该模块具备良好的热管理能力,可有效降低工作温度,延长使用寿命。IRM-3756M3还具有优异的抗电磁干扰(EMI)性能,适用于复杂的工业环境。该模块支持多种散热方式,包括风冷和自然冷却,适应不同的应用需求。同时,其高绝缘耐压能力确保了系统在高电压环境下的安全运行,适用于电机控制、不间断电源(UPS)和逆变器等关键应用。
IRM-3756M3主要用于工业电机驱动器、不间断电源(UPS)、太阳能逆变器、电动车充电器、开关电源(SMPS)及工业自动化控制系统等高功率应用场合。
IRM-3756M3-S,IRM-3756M3-1,IRM-3756M3-2