工作电压范围：10V 至 20V
　　输出电流：高端驱动器可达 1.5A，低端驱动器可达 1.8A
　　工作温度范围：-40°C 至 +150°C
　　封装形式：16 引脚 SOIC
　　传播延迟：典型值 120ns
　　死区时间：可编程控制
　　输入逻辑类型：TTL/CMOS 兼容

IRM-3756M 具备多项关键特性，使其适用于高性能功率转换系统。
　　首先，它采用高压浮动通道技术，支持高达 600V 的高端电压应用，非常适合用于半桥或全桥拓扑结构中的 MOSFET 驱动。该芯片的高端驱动器内置自举二极管，简化了外部电路设计并减少了元件数量。
　　其次，IRM-3756M 提供了快速的驱动能力，具有低的传播延迟和延迟匹配时间，确保上下桥臂的开关信号能够精确同步，从而减少开关损耗并防止直通短路的发生。
　　此外，该芯片具有可编程死区时间控制功能，通过外部电阻调节可以有效防止上下桥臂同时导通造成的短路风险，从而提升系统的安全性与稳定性。
　　IRM-3756M 还具备欠压锁定（UVLO）保护功能，当电源电压低于设定阈值时，驱动器会自动关闭输出，防止功率器件在非理想条件下工作，从而提高系统的可靠性。
　　最后，该芯片采用 16 引脚 SOIC 封装，具备良好的热性能和电气隔离能力，适合在紧凑型电源模块和工业控制设备中使用。

IRM-3756M 主要用于需要高效驱动功率 MOSFET 的各种电力电子系统中。典型应用包括：
　　1. DC-DC 升压/降压转换器，特别是在高输入电压环境下，如太阳能逆变器和电池管理系统。
　　2. 无刷直流电机（BLDC）驱动器，用于工业自动化、机器人控制和电动工具。
　　3. 功率因数校正（PFC）电路，常见于高效率开关电源（SMPS）设计中。
　　4. 三相逆变器系统，如变频空调、伺服驱动器和不间断电源（UPS）。
　　5. 同步整流器，用于提高 AC-DC 转换器的效率。
　　其高可靠性和宽电压范围使其在工业、汽车及消费类电子产品中均有广泛应用。

IR2110, IR21844, LM5101, UCC27531