W25N02KVZEIR 是 Winbond 公司推出的一款高性能、低功耗的串行NAND闪存芯片,容量为2Gb(256MB)。该芯片采用先进的CMOS工艺制造,专为需要高存储密度和快速数据存取的应用设计。W25N02KVZEIR支持标准的SPI(Serial Peripheral Interface)接口,便于与各种主控芯片进行通信。该器件采用小型8引脚WSON(0.5mm间距)封装,适用于空间受限的便携式电子产品。
容量:2Gb(256MB)
接口类型:SPI
封装类型:8-WSON(0.5mm间距)
工作电压:1.65V - 3.6V
工作温度范围:-40°C ~ +85°C
读取电流:5mA(典型值)
写入/擦除电流:15mA(典型值)
时钟频率:104MHz(最大)
页面大小:2KB
块大小:128KB
ECC要求:需要外部ECC支持
可靠性:10万次擦写周期
数据保持:10年
W25N02KVZEIR 串行NAND闪存芯片具备多项先进的技术特性,使其在性能、功耗和稳定性方面表现出色。
首先,该芯片支持1.65V至3.6V的宽电压范围,适应多种电源管理方案,适用于电池供电设备和嵌入式系统。其低功耗设计在读取、写入和待机模式下均表现出优异的能效,有助于延长设备续航时间。
该芯片采用高速SPI接口,支持高达104MHz的时钟频率,显著提升了数据传输速率。此外,其页面大小为2KB,块大小为128KB,适合大规模数据存储和管理。由于NAND闪存的特性,W25N02KVZEIR在存储密度和成本方面具有优势,适用于需要大容量非易失性存储的应用场景。
值得注意的是,该芯片内部未集成ECC(错误校正码)功能,因此需要主控芯片或外部控制器提供ECC支持,以确保数据完整性。W25N02KVZEIR具有10万次擦写周期和10年数据保持能力,确保了长期使用的可靠性。
该芯片采用小型8-WSON封装,尺寸仅为6mm x 5mm,适合空间受限的便携设备,如智能手表、穿戴设备、IoT模块等。其工业级温度范围(-40°C至+85°C)使其能够在严苛环境下稳定运行。
W25N02KVZEIR 主要应用于需要大容量非易失性存储、低功耗和小型化设计的嵌入式系统和便携式设备。例如,该芯片可用于智能穿戴设备中的固件和数据存储、工业控制系统的日志记录、无线通信模块的配置信息存储、医疗设备的数据缓存以及物联网(IoT)设备中的本地存储解决方案。
此外,W25N02KVZEIR 还适用于需要高速数据读写能力的场景,如图像处理、音频存储和嵌入式操作系统启动介质。其宽电压范围和低功耗特性使其在基于电池供电的产品中表现出色,如无人机、智能电表和便携式测试仪器等。
在汽车电子领域,该芯片也可用于车载记录仪、T-Box(远程信息处理盒)等设备中,用于存储导航数据、行车记录和诊断信息。由于其封装小巧且具备工业级温度适应能力,因此在车载环境中的稳定性和可靠性得到了保障。
GD5F2GQ4UCYIG, MX35LF2GE4AD, MT29F2G01ABADA