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W25N02KVZEIR 发布时间 时间:2025/8/21 11:24:12 查看 阅读:24

W25N02KVZEIR 是 Winbond 公司推出的一款高性能、低功耗的串行NAND闪存芯片,容量为2Gb(256MB)。该芯片采用先进的CMOS工艺制造,专为需要高存储密度和快速数据存取的应用设计。W25N02KVZEIR支持标准的SPI(Serial Peripheral Interface)接口,便于与各种主控芯片进行通信。该器件采用小型8引脚WSON(0.5mm间距)封装,适用于空间受限的便携式电子产品。

参数

容量:2Gb(256MB)
  接口类型:SPI
  封装类型:8-WSON(0.5mm间距)
  工作电压:1.65V - 3.6V
  工作温度范围:-40°C ~ +85°C
  读取电流:5mA(典型值)
  写入/擦除电流:15mA(典型值)
  时钟频率:104MHz(最大)
  页面大小:2KB
  块大小:128KB
  ECC要求:需要外部ECC支持
  可靠性:10万次擦写周期
  数据保持:10年

特性

W25N02KVZEIR 串行NAND闪存芯片具备多项先进的技术特性,使其在性能、功耗和稳定性方面表现出色。
  首先,该芯片支持1.65V至3.6V的宽电压范围,适应多种电源管理方案,适用于电池供电设备和嵌入式系统。其低功耗设计在读取、写入和待机模式下均表现出优异的能效,有助于延长设备续航时间。
  该芯片采用高速SPI接口,支持高达104MHz的时钟频率,显著提升了数据传输速率。此外,其页面大小为2KB,块大小为128KB,适合大规模数据存储和管理。由于NAND闪存的特性,W25N02KVZEIR在存储密度和成本方面具有优势,适用于需要大容量非易失性存储的应用场景。
  值得注意的是,该芯片内部未集成ECC(错误校正码)功能,因此需要主控芯片或外部控制器提供ECC支持,以确保数据完整性。W25N02KVZEIR具有10万次擦写周期和10年数据保持能力,确保了长期使用的可靠性。
  该芯片采用小型8-WSON封装,尺寸仅为6mm x 5mm,适合空间受限的便携设备,如智能手表、穿戴设备、IoT模块等。其工业级温度范围(-40°C至+85°C)使其能够在严苛环境下稳定运行。

应用

W25N02KVZEIR 主要应用于需要大容量非易失性存储、低功耗和小型化设计的嵌入式系统和便携式设备。例如,该芯片可用于智能穿戴设备中的固件和数据存储、工业控制系统的日志记录、无线通信模块的配置信息存储、医疗设备的数据缓存以及物联网(IoT)设备中的本地存储解决方案。
  此外,W25N02KVZEIR 还适用于需要高速数据读写能力的场景,如图像处理、音频存储和嵌入式操作系统启动介质。其宽电压范围和低功耗特性使其在基于电池供电的产品中表现出色,如无人机、智能电表和便携式测试仪器等。
  在汽车电子领域,该芯片也可用于车载记录仪、T-Box(远程信息处理盒)等设备中,用于存储导航数据、行车记录和诊断信息。由于其封装小巧且具备工业级温度适应能力,因此在车载环境中的稳定性和可靠性得到了保障。

替代型号

GD5F2GQ4UCYIG, MX35LF2GE4AD, MT29F2G01ABADA

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W25N02KVZEIR参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格63 : ¥36.29571管件
  • 系列SpiFlash?
  • 包装管件
  • 产品状态在售
  • 存储器类型非易失
  • 存储器格式闪存
  • 技术FLASH - NAND(SLC)
  • 存储容量2Gb
  • 存储器组织256M x 8
  • 存储器接口SPI - 四 I/O
  • 时钟频率104 MHz
  • 写周期时间 - 字,页700μs
  • 访问时间7 ns
  • 电压 - 供电2.7V ~ 3.6V
  • 工作温度-40°C ~ 85°C(TA)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳8-WDFN 裸露焊盘
  • 供应商器件封装8-WSON(8x6)