时间：2025/8/29 8:23:56
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IRM-3736M是一款由国际整流器公司（International Rectifier，简称IR）制造的功率MOSFET晶体管，主要用于高效率电源转换和电机控制应用。该器件采用了先进的沟槽栅极技术，具有较低的导通电阻和快速的开关特性，适用于各种高功率和高频率的电子系统。IRM-3736M封装为TO-220AB，便于散热和安装。
类型：N沟道MOSFET
漏极电流（ID）：110A
漏极-源极击穿电压（VDS）：30V
栅极-源极电压（VGS）：±20V
导通电阻（RDS(on)）：最大4.5mΩ @ VGS=10V
工作温度范围：-55°C ~ +175°C
封装形式：TO-220AB
IRM-3736M具有极低的导通电阻，使得在高电流应用中可以显著降低功率损耗，提高系统效率。其先进的沟槽技术不仅提高了器件的导电能力，还增强了开关速度，从而减少了开关损耗。此外，该MOSFET具有较高的热稳定性和耐用性，能够在高温环境下稳定工作。
该器件还具备良好的雪崩能量承受能力，可以在突发电压尖峰情况下提供额外的保护，避免器件损坏。其高栅极电荷容限和较低的输入电容也使得在高频开关应用中表现优异，适用于各种复杂的电源拓扑结构，如同步整流、DC-DC转换器和电机驱动电路。
此外，IRM-3736M采用了高可靠性的封装设计，确保了良好的热管理和机械稳定性，适合在工业控制、汽车电子和消费类电源设备中使用。
IRM-3736M广泛应用于各种高功率密度电源系统，如开关电源（SMPS）、电池充电器、DC-DC转换器、负载开关和电机控制电路。在电动汽车、电动工具、工业自动化和服务器电源中也常见其身影。由于其优异的导通和开关性能，该器件特别适合用于需要高效能和高可靠性的场合。
IRF3710, IRF1310, IRFP4368, SiR3736DP
