型号：IRLU8256
　　类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：60 V
　　最大连续漏极电流（Id）：90 A @ 25°C
　　最大脉冲漏极电流（Idm）：320 A
　　最大栅源电压（Vgs）：±20 V
　　导通电阻（Rds(on)）：4.5 mΩ @ Vgs = 10 V, Id = 45 A
　　导通电阻（Rds(on)）：6.0 mΩ @ Vgs = 4.5 V, Id = 30 A
　　阈值电压（Vgs(th)）：2.0 V ~ 4.0 V
　　输入电容（Ciss）：5000 pF @ Vds = 30 V
　　输出电容（Coss）：1900 pF @ Vds = 30 V
　　反向恢复时间（trr）：28 ns
　　功耗（Ptot）：200 W
　　工作结温范围（Tj）：-55°C ~ +175°C
　　封装：TO-252 (DPAK)

IRLU8256采用先进的沟槽栅极工艺，这种结构显著降低了单位面积上的导通电阻，从而在相同封装尺寸下实现了更高的电流承载能力和更低的导通损耗。其典型导通电阻仅为4.5毫欧姆（在Vgs=10V，Id=45A条件下），这使得器件在大电流应用中表现出色，有效减少了功率损耗和发热问题，提高了整体系统的能效水平。此外，该MOSFET具备优异的开关特性，输入电容和输出电容均经过优化，在高频开关操作中可降低驱动损耗和开关过渡时间，进一步提升转换效率。
　　该器件具有出色的热稳定性和长期可靠性，得益于其坚固的芯片设计和高质量封装材料。TO-252封装不仅提供了良好的电气隔离性能，还具备较强的散热能力，允许将热量有效地传导至PCB或外部散热器，确保器件在持续高负载运行时仍能维持安全的工作温度。此外，IRLU8256具备较强的抗雪崩能力，能够在电源突变或感性负载关断等异常情况下吸收瞬态能量而不损坏，增强了系统的鲁棒性与安全性。
　　IRLU8256支持宽范围的栅极驱动电压（最高±20V），兼容常见的逻辑电平和专用MOSFET驱动器，使其易于集成到各种控制电路中。其阈值电压范围适中（2.0V~4.0V），可在较低的驱动电压下实现快速开启，适用于PWM调制等动态控制场景。同时，该器件对寄生参数进行了优化设计，减小了内部电感和电容的影响，有助于抑制振铃现象和电磁干扰（EMI），提高系统电磁兼容性。这些综合优势使IRLU8256成为高性能电源管理和功率开关设计中的理想选择。

IRLU8256广泛应用于各类需要高效、高电流开关能力的电力电子系统中。常见应用包括开关模式电源（SMPS），如AC-DC适配器、服务器电源和通信电源模块，其中它作为主开关或同步整流器使用，以提高转换效率并减小体积。在DC-DC转换器中，特别是在降压（Buck）拓扑结构中，IRLU8256凭借其低导通电阻和快速开关特性，能够有效降低传导损耗和开关损耗，适用于车载电源系统、工业控制电源以及嵌入式设备供电单元。
　　此外，该器件也常用于电机驱动电路，例如直流无刷电机（BLDC）控制器、电动工具、风扇和泵类驱动系统。在这些应用中，IRLU8256作为功率级开关元件，承担着频繁启停和大电流切换的任务，其高耐流能力和良好的热性能保证了长时间运行的稳定性。在电池管理系统（BMS）和便携式储能设备中，该MOSFET可用于充放电回路的通断控制，提供低损耗的电流路径，并支持快速响应的保护机制。
　　其他应用还包括逆变器、UPS不间断电源、LED照明驱动电源以及太阳能微逆系统等。在汽车电子领域，虽然IRLU8256并非专为车规级认证设计，但在部分非安全关键的辅助电源和车载配件中仍有使用。总之，凡是对导通损耗、开关速度和热管理有较高要求的中高功率应用，IRLU8256都能提供可靠且高效的解决方案。

IRLHS8256
　　IRLB8256
　　IRLR8256
　　FDD8256