DMNH6069SFVW是一款由Diodes Incorporated生产的MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。该器件属于N沟道增强型MOSFET,广泛应用于开关电源、电机驱动、负载切换等场景。其设计旨在提供高效率和低功耗性能,同时支持较高的电流承载能力。
该芯片采用先进的制程技术制造,具备出色的导通电阻(Rds(on))特性,有助于降低系统能耗并提升整体效率。
型号:DMNH6069SFVW
类型:N-Channel MOSFET
封装:SuperSO8 (SFV)
Vds(漏源极电压):60V
Rds(on)(导通电阻):7mΩ(典型值,@ Vgs=10V)
Id(连续漏极电流):52A
Vgs(栅源极电压):±20V
工作温度范围:-55℃ to +175℃
功率耗散:143W
DMNH6069SFVW具有以下主要特性:
1. 极低的导通电阻(Rds(on)),能够有效减少传导损耗,适用于高效能应用。
2. 高雪崩能量能力,提升了器件在异常条件下的可靠性。
3. 符合RoHS标准,环保且适合现代工业需求。
4. 提供快速开关速度,减少开关损耗,提高系统效率。
5. 良好的热稳定性,能够在较宽的工作温度范围内保持性能。
6. 内置ESD保护,提高了产品在实际使用中的鲁棒性。
这些特性使DMNH6069SFVW成为多种电力电子应用的理想选择,包括但不限于开关模式电源、DC-DC转换器以及各种负载开关应用。
DMNH6069SFVW可以应用于以下领域:
1. 开关电源(SMPS)中的同步整流和主开关角色。
2. 各类电机驱动电路,如无刷直流电机(BLDC)控制器。
3. DC-DC转换器,特别是在降压或升压拓扑中作为功率开关。
4. 电池管理系统(BMS)中的负载切换和保护功能。
5. 工业自动化设备中的功率控制模块。
6. 消费电子产品中的高效能功率管理单元。
由于其低导通电阻和高电流处理能力,这款MOSFET非常适合需要高性能和低功耗的场景。
DMN3029LFS, IRFZ44N, AO3400A