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DMNH6069SFVW 发布时间 时间:2025/5/30 11:33:08 查看 阅读:6

DMNH6069SFVW是一款由Diodes Incorporated生产的MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。该器件属于N沟道增强型MOSFET,广泛应用于开关电源、电机驱动、负载切换等场景。其设计旨在提供高效率和低功耗性能,同时支持较高的电流承载能力。
  该芯片采用先进的制程技术制造,具备出色的导通电阻(Rds(on))特性,有助于降低系统能耗并提升整体效率。

参数

型号:DMNH6069SFVW
  类型:N-Channel MOSFET
  封装:SuperSO8 (SFV)
  Vds(漏源极电压):60V
  Rds(on)(导通电阻):7mΩ(典型值,@ Vgs=10V)
  Id(连续漏极电流):52A
  Vgs(栅源极电压):±20V
  工作温度范围:-55℃ to +175℃
  功率耗散:143W

特性

DMNH6069SFVW具有以下主要特性:
  1. 极低的导通电阻(Rds(on)),能够有效减少传导损耗,适用于高效能应用。
  2. 高雪崩能量能力,提升了器件在异常条件下的可靠性。
  3. 符合RoHS标准,环保且适合现代工业需求。
  4. 提供快速开关速度,减少开关损耗,提高系统效率。
  5. 良好的热稳定性,能够在较宽的工作温度范围内保持性能。
  6. 内置ESD保护,提高了产品在实际使用中的鲁棒性。
  这些特性使DMNH6069SFVW成为多种电力电子应用的理想选择,包括但不限于开关模式电源、DC-DC转换器以及各种负载开关应用。

应用

DMNH6069SFVW可以应用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS)中的同步整流和主开关角色。
  2. 各类电机驱动电路,如无刷直流电机(BLDC)控制器。
  3. DC-DC转换器,特别是在降压或升压拓扑中作为功率开关。
  4. 电池管理系统(BMS)中的负载切换和保护功能。
  5. 工业自动化设备中的功率控制模块。
  6. 消费电子产品中的高效能功率管理单元。
  由于其低导通电阻和高电流处理能力,这款MOSFET非常适合需要高性能和低功耗的场景。

替代型号

DMN3029LFS, IRFZ44N, AO3400A

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