时间：2025/6/12 16:09:06
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IRLU3802PBF是由英飞凌（Infineon）制造的N沟道逻辑电平增强型MOSFET。该器件适用于高频开关应用，具有低导通电阻和快速开关速度的特点。其封装形式为TO-252 (DPAK)，适合表面贴装工艺。这款MOSFET广泛用于功率转换、电机驱动、负载开关等应用场景。
该型号的设计目标是提供高效率的功率传输，并支持较低的功耗，非常适合电池供电设备和其他对能效要求较高的系统。
最大漏源电压：60V
最大栅极源极电压：±20V
连续漏极电流：14A
脉冲漏极电流：45A
导通电阻（Rds(on)）：9mΩ（在Vgs=10V时）
栅极电荷：7nC
输入电容：245pF
工作结温范围：-55℃至+175℃
IRLU3802PBF是一款性能优越的逻辑电平MOSFET，主要特性如下：
1. 高效的功率传输：得益于其低导通电阻（Rds(on)），该MOSFET可以显著减少传导损耗，从而提高系统的整体效率。
2. 快速开关能力：小的栅极电荷和输入电容使得该器件能够在高频条件下高效运行，这对于现代开关电源和DC-DC转换器至关重要。
3. 宽温度范围：工作结温从-55℃到+175℃，使其适用于各种环境条件下的应用。
4. 小巧的封装：TO-252封装节省了电路板空间，同时支持表面贴装技术（SMT），提高了生产效率。
5. 可靠性高：经过严格测试和验证，确保在长时间使用中保持稳定的性能。
IRLU3802PBF适用于多种电子应用领域，包括但不限于以下方面：
1. 开关电源（SMPS）中的功率开关元件。
2. DC-DC转换器中的同步整流或主开关。
3. 电机驱动电路中的功率级控制。
4. 各种负载开关和保护电路。
5. 电池管理系统中的充放电路径控制。
6. 汽车电子中的继电器替代方案以及LED驱动等应用。
IRLZ44N, IRL540N, FDP5570
