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IRLU014PBF 发布时间 时间:2025/6/20 9:36:47 查看 阅读:3

IRLU014PBF 是一款由英飞凌(Infineon)生产的N沟道增强型MOSFET功率场效应晶体管。该器件采用了TO-252(DPAK)封装形式,广泛应用于消费电子、工业控制以及电源管理等领域。IRLU014PBF具有低导通电阻和高开关速度的特点,适用于需要高效能功率转换的场景。

参数

最大漏源电压:55V
  最大连续漏电流:8.7A
  栅极-源极电压:±20V
  导通电阻:35mΩ(典型值,当Vgs=10V时)
  总功耗:29W
  工作温度范围:-55℃至+150℃
  存储温度范围:-65℃至+175℃

特性

IRLU014PBF是一款高性能的功率MOSFET,其主要特性如下:
  1. 低导通电阻:该器件在Vgs=10V时的导通电阻仅为35mΩ,有助于减少功率损耗。
  2. 快速开关性能:具备低输入电容和栅极电荷,能够实现快速开关操作,从而提高系统效率。
  3. 高电流处理能力:支持高达8.7A的连续漏电流,适合大功率应用。
  4. 紧凑封装:采用TO-252(DPAK)封装,节省PCB空间并简化设计。
  5. 宽工作温度范围:支持从-55℃到+150℃的工作温度,适应各种严苛环境条件。
  6. 高可靠性:经过严格的测试和筛选,确保器件在长时间运行中的稳定性。

应用

IRLU014PBF因其优异的电气特性和紧凑的封装形式,广泛应用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS):包括DC-DC转换器、反激式变换器等,提供高效的功率转换。
  2. 电机驱动:用于小型直流电机或步进电机的驱动电路中,提供精确的电流控制。
  3. 电池管理:在电池充电和保护电路中起到关键作用,例如锂电池保护。
  4. 消费电子产品:如家用电器、笔记本电脑适配器等设备中的功率控制。
  5. 工业自动化:在工业控制模块中作为功率开关使用。
  6. 照明系统:LED驱动电路中用于调光或恒流控制。

替代型号

IRLZ44N, FDP55N06L, AO3400A

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IRLU014PBF参数

  • 数据列表IRLR014PBF, IRLU014PBF
  • 标准包装3,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列-
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)60V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C7.7A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C200 毫欧 @ 4.6A,5V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)2V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs8.4nC @ 5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds400pF @ 25V
  • 功率 - 最大2.5W
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA
  • 供应商设备封装TO-251AA
  • 包装管件
  • 其它名称*IRLU014PBF