IRLSZ44A是一款由Infineon Technologies(英飞凌)推出的增强型N沟道功率MOSFET,主要用于高效率电源管理和开关应用。该器件采用了先进的沟槽技术,提供了优异的导通电阻(Rds(on))和开关性能,适用于DC-DC转换器、负载开关、马达控制和电池管理系统等场景。IRLSZ44A封装为SO-8,符合RoHS标准,并具备高耐用性和可靠性。
类型:N沟道MOSFET
漏源电压(Vds):30V
栅源电压(Vgs):±20V
连续漏极电流(Id):8A
导通电阻(Rds(on)):23mΩ(典型值,Vgs=10V)
功耗(Pd):2.5W
工作温度范围:-55°C至175°C
封装形式:SO-8
极数:3(漏极、栅极、源极)
IRLSZ44A MOSFET具有多项优异的电气和物理特性,适用于高性能电源管理系统。其导通电阻低至23mΩ,有助于降低导通损耗,提高系统效率。该器件支持高达8A的连续漏极电流,适合中高功率应用。IRLSZ44A采用了先进的沟槽式MOSFET结构,在保持高性能的同时实现了小型化,有利于节省PCB空间。该MOSFET具备良好的热稳定性,能够在高温环境下稳定运行,提高了系统的可靠性。其栅极驱动电压范围宽,支持常见的5V至10V驱动电压,兼容多种控制电路。此外,IRLSZ44A具有良好的抗雪崩能力和抗过载能力,能够在复杂工况下保持稳定工作,适用于工业级和汽车电子应用。在开关特性方面,IRLSZ44A表现出较低的开关损耗,适用于高频开关应用,如同步整流器和DC-DC转换器。该器件的SO-8封装结构便于焊接和自动化生产,适合批量制造和应用集成。
IRLSZ44A广泛应用于各类电源管理系统和功率控制电路中。常见的应用场景包括DC-DC降压/升压转换器、同步整流器、负载开关、马达驱动电路、电池管理系统(BMS)、电源管理模块以及工业自动化控制系统。该MOSFET特别适用于需要高效率和小体积设计的便携式电子产品、电动工具和汽车电子设备。由于其良好的热性能和高可靠性,IRLSZ44A也常用于要求严苛的工业和汽车应用领域。
SiSSZ44, IRLZ44N, BSC023N03MS, FDS6680, Si4448DY