IRLSZ34A 时间：2025/8/25 7:39:44 阅读：29

IRLSZ34A 是一款由 Infineon（英飞凌）公司生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高效能电源转换和功率控制应用。这款 MOSFET 采用先进的沟槽技术，具有低导通电阻和高电流处理能力，适用于各种电源管理系统、DC-DC 转换器、电机控制和负载开关等场景。IRLSZ34A 的封装形式为 TSOP（薄型小外形封装），具有良好的热性能和空间节省设计，适合高密度 PCB 布局。

参数

类型：N 沟道 MOSFET
　　漏极电流（Id）：4.1A
　　漏极-源极电压（Vds）：30V
　　栅极-源极电压（Vgs）：±20V
　　导通电阻（Rds(on)）：28mΩ（典型值）
　　功率耗散（Pd）：2.5W
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：TSOP

特性

IRLSZ34A 具备多项优良特性，使其在功率管理应用中表现出色。首先，其低导通电阻（Rds(on)）显著降低了导通损耗，提高了整体效率。这对于需要高能效的电源转换系统尤为重要。其次，该器件支持高达 4.1A 的连续漏极电流，能够满足高负载应用的需求。此外，IRLSZ34A 的栅极电荷（Qg）较低，有助于减少开关损耗，提高开关频率下的性能。该器件的耐压能力为 30V，栅极-源极电压容限为 ±20V，提供了良好的电压耐受性和稳定性。在热性能方面，TSOP 封装设计确保了良好的散热性能，即使在高功率应用中也能保持较低的工作温度。最后，IRLSZ34A 的工作温度范围为 -55°C 至 +150°C，适用于广泛的工业和汽车应用环境。

应用

IRLSZ34A 广泛应用于各种电源管理和功率控制场景。在电源转换系统中，如 DC-DC 转换器、AC-DC 电源适配器和同步整流器中，IRLSZ34A 的低导通电阻和高效率特性能够显著提升整体系统性能。在电池供电设备中，例如笔记本电脑、平板电脑和便携式电子产品，该器件能够提供高效的电源管理，延长电池寿命。此外，IRLSZ34A 还适用于电机控制应用，如无刷直流电机（BLDC）驱动器和步进电机控制器，其高电流能力和快速开关特性有助于实现精确的电机控制。在工业自动化和控制系统中，该器件常用于负载开关、继电器替代和功率分配模块。由于其优异的热性能和紧凑的封装设计，IRLSZ34A 也非常适合用于空间受限的高密度 PCB 设计。