IRLSZ34A 是一款由 Infineon(英飞凌)公司生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),主要用于高效能电源转换和功率控制应用。这款 MOSFET 采用先进的沟槽技术,具有低导通电阻和高电流处理能力,适用于各种电源管理系统、DC-DC 转换器、电机控制和负载开关等场景。IRLSZ34A 的封装形式为 TSOP(薄型小外形封装),具有良好的热性能和空间节省设计,适合高密度 PCB 布局。
类型:N 沟道 MOSFET
漏极电流(Id):4.1A
漏极-源极电压(Vds):30V
栅极-源极电压(Vgs):±20V
导通电阻(Rds(on)):28mΩ(典型值)
功率耗散(Pd):2.5W
工作温度范围:-55°C 至 +150°C
封装类型:TSOP
IRLSZ34A 具备多项优良特性,使其在功率管理应用中表现出色。首先,其低导通电阻(Rds(on))显著降低了导通损耗,提高了整体效率。这对于需要高能效的电源转换系统尤为重要。其次,该器件支持高达 4.1A 的连续漏极电流,能够满足高负载应用的需求。此外,IRLSZ34A 的栅极电荷(Qg)较低,有助于减少开关损耗,提高开关频率下的性能。该器件的耐压能力为 30V,栅极-源极电压容限为 ±20V,提供了良好的电压耐受性和稳定性。在热性能方面,TSOP 封装设计确保了良好的散热性能,即使在高功率应用中也能保持较低的工作温度。最后,IRLSZ34A 的工作温度范围为 -55°C 至 +150°C,适用于广泛的工业和汽车应用环境。
IRLSZ34A 广泛应用于各种电源管理和功率控制场景。在电源转换系统中,如 DC-DC 转换器、AC-DC 电源适配器和同步整流器中,IRLSZ34A 的低导通电阻和高效率特性能够显著提升整体系统性能。在电池供电设备中,例如笔记本电脑、平板电脑和便携式电子产品,该器件能够提供高效的电源管理,延长电池寿命。此外,IRLSZ34A 还适用于电机控制应用,如无刷直流电机(BLDC)驱动器和步进电机控制器,其高电流能力和快速开关特性有助于实现精确的电机控制。在工业自动化和控制系统中,该器件常用于负载开关、继电器替代和功率分配模块。由于其优异的热性能和紧凑的封装设计,IRLSZ34A 也非常适合用于空间受限的高密度 PCB 设计。
IRLML6401, IRLZ44N, Si2302DS, FDS6675