IRLSZ24A 时间：2025/8/25 7:18:35 阅读：35

IRLSZ24A 是由 Infineon（英飞凌）推出的一款 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），适用于高性能电源管理应用。该器件采用先进的沟槽技术，提供低导通电阻（Rds(on)），从而降低了导通损耗并提高了整体效率。IRLSZ24A 通常用于同步整流、DC-DC 转换器、负载开关和电机控制等应用场景。

参数

类型：N 沟道 MOSFET
　　漏源电压（Vds）：20V
　　栅源电压（Vgs）：±12V
　　连续漏极电流（Id）：4.1A
　　导通电阻（Rds(on)）：24mΩ @ Vgs=10V
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：TSOP（SOT-23-6）

特性

IRLSZ24A 的核心优势在于其低导通电阻和紧凑的封装设计。该器件的 Rds(on) 仅为 24mΩ，当在高电流应用中使用时，可显著减少功率损耗，提高能效。此外，该 MOSFET 支持高达 4.1A 的连续漏极电流，适用于中等功率的负载切换任务。其 TSOP 封装（SOT-23-6）设计使得它在空间受限的 PCB 设计中具备优势，适合用于便携式电子设备和小型化电源模块。
　　该器件还具备良好的热稳定性和抗干扰能力，能够在较为恶劣的环境中稳定工作。其 ±12V 的栅源电压耐受能力使其兼容多种驱动电路，便于与控制器或驱动 IC 配合使用。此外，IRLSZ24A 的开关速度快，适用于高频开关电路，有助于提高电源系统的响应速度和动态性能。

应用

IRLSZ24A 主要用于需要高效率和小尺寸封装的电源管理系统中。典型应用包括 DC-DC 升压或降压转换器、负载开关电路、电池管理系统、电机驱动电路以及各种便携式电子设备中的功率控制模块。此外，该器件也可用于同步整流器、LED 照明控制和电源管理单元中的开关元件。由于其高频响应能力，它在需要快速切换的开关电源（SMPS）中表现优异。