IRLSZ24A 是由 Infineon(英飞凌)推出的一款 N 沟道增强型功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),适用于高性能电源管理应用。该器件采用先进的沟槽技术,提供低导通电阻(Rds(on)),从而降低了导通损耗并提高了整体效率。IRLSZ24A 通常用于同步整流、DC-DC 转换器、负载开关和电机控制等应用场景。
类型:N 沟道 MOSFET
漏源电压(Vds):20V
栅源电压(Vgs):±12V
连续漏极电流(Id):4.1A
导通电阻(Rds(on)):24mΩ @ Vgs=10V
工作温度范围:-55°C 至 +150°C
封装形式:TSOP(SOT-23-6)
IRLSZ24A 的核心优势在于其低导通电阻和紧凑的封装设计。该器件的 Rds(on) 仅为 24mΩ,当在高电流应用中使用时,可显著减少功率损耗,提高能效。此外,该 MOSFET 支持高达 4.1A 的连续漏极电流,适用于中等功率的负载切换任务。其 TSOP 封装(SOT-23-6)设计使得它在空间受限的 PCB 设计中具备优势,适合用于便携式电子设备和小型化电源模块。
该器件还具备良好的热稳定性和抗干扰能力,能够在较为恶劣的环境中稳定工作。其 ±12V 的栅源电压耐受能力使其兼容多种驱动电路,便于与控制器或驱动 IC 配合使用。此外,IRLSZ24A 的开关速度快,适用于高频开关电路,有助于提高电源系统的响应速度和动态性能。
IRLSZ24A 主要用于需要高效率和小尺寸封装的电源管理系统中。典型应用包括 DC-DC 升压或降压转换器、负载开关电路、电池管理系统、电机驱动电路以及各种便携式电子设备中的功率控制模块。此外,该器件也可用于同步整流器、LED 照明控制和电源管理单元中的开关元件。由于其高频响应能力,它在需要快速切换的开关电源(SMPS)中表现优异。
Si2302DS, AO3400A, IRLML2502