您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > IRLS3034-7P

IRLS3034-7P 发布时间 时间:2025/12/26 18:31:02 查看 阅读:14

IRLS3034-7P是一款由Infineon Technologies(英飞凌)推出的高性能P沟道功率MOSFET,采用先进的沟槽栅极技术制造,专为高效率、低功耗的电源管理应用而设计。该器件封装在小型且热性能优良的PG-SOT223-4封装中,适合需要紧凑布局和良好散热性能的应用场景。由于其P沟道特性,IRLS3034-7P在负载开关、电池供电设备以及电压反向保护电路中表现出色。该MOSFET能够在较低的栅极驱动电压下实现良好的导通性能,因此非常适合用于3.3V或5V逻辑电平直接驱动的系统中。此外,该器件具有低阈值电压和高输入阻抗,使其在静态功耗控制方面表现优异,有助于延长便携式设备的电池寿命。
  IRLS3034-7P的设计注重可靠性与稳定性,在高温环境下仍能保持良好的电气性能。其漏源击穿电压(VDS)典型值为-30V,连续漏极电流(ID)可达-6.8A,能够满足大多数中等功率DC-DC转换和电源开关应用的需求。产品符合RoHS环保标准,并通过了严格的工业级测试,适用于消费电子、工业控制、通信设备及汽车电子等多种领域。得益于Infineon在功率半导体领域的深厚积累,IRLS3034-7P在开关速度、导通电阻和热管理之间实现了良好平衡,是许多高密度电源设计中的优选器件之一。

参数

型号:IRLS3034-7P
  通道类型:P沟道
  最大漏源电压(VDS):-30V
  最大栅源电压(VGS):±20V
  连续漏极电流(ID)@25°C:-6.8A
  脉冲漏极电流(IDM):-27A
  导通电阻(RDS(on))@VGS = -10V:35mΩ
  导通电阻(RDS(on))@VGS = -4.5V:45mΩ
  导通电阻(RDS(on))@VGS = -2.5V:75mΩ
  阈值电压(VGS(th)):-1.0V ~ -2.0V
  输入电容(Ciss):920pF @ VDS=15V
  开关时间(开启时间):15ns
  开关时间(关闭时间):35ns
  二极管反向恢复时间(trr):28ns
  工作结温范围:-55°C ~ +150°C
  封装形式:PG-SOT223-4
  安装类型:表面贴装

特性

IRLS3034-7P采用Infineon成熟的沟槽栅极MOSFET工艺,具备出色的导通特性和开关性能。其核心优势之一是低导通电阻(RDS(on)),在VGS = -10V时仅为35mΩ,显著降低了导通状态下的功率损耗,提高了整体系统效率。即使在较低的栅极驱动电压下,例如-4.5V或-2.5V,该器件依然能维持相对较低的RDS(on),分别为45mΩ和75mΩ,这使得它能够兼容现代低压微控制器的输出电平,无需额外的电平转换电路即可实现高效驱动。
  该器件的阈值电压范围为-1.0V至-2.0V,确保了在启动过程中能够快速进入导通状态,同时避免因噪声干扰导致误触发。输入电容仅为920pF,在高频开关应用中减少了驱动电路的能量消耗和延迟,提升了系统的动态响应能力。其快速的开关时间——开启时间为15ns,关闭时间为35ns——使其适用于高频DC-DC转换器和同步整流等对响应速度要求较高的场合。
  集成的体二极管具有较短的反向恢复时间(trr = 28ns),有效减少了在感性负载切换过程中的反向电流尖峰和电磁干扰(EMI),从而提高了系统的稳定性和可靠性。此外,PG-SOT223-4封装不仅体积小巧,还具备优良的热传导性能,通过背面散热片可将热量迅速传递至PCB,增强了器件在持续大电流工作条件下的热稳定性。
  IRLS3034-7P的工作结温范围宽达-55°C至+150°C,能够在极端环境温度下稳定运行,适用于工业级和汽车级应用场景。器件符合AEC-Q101汽车电子认证标准,具备高可靠性和长期耐久性。同时,其无铅、符合RoHS指令的设计也满足现代电子产品对环保的要求。总体而言,IRLS3034-7P凭借其低RDS(on)、快速开关、低温漂特性以及坚固的封装结构,成为众多电源管理设计中理想的P沟道MOSFET解决方案。

应用

IRLS3034-7P广泛应用于多种电源管理和功率控制场景。常见用途包括便携式电子设备中的负载开关和电源路径管理,如智能手机、平板电脑和可穿戴设备,利用其低静态功耗和快速响应能力来优化电池使用效率。
  在电池供电系统中,该器件常被用作高端开关,实现电池的接通与断开控制,也可用于防止电源反接造成的损坏,起到电压极性保护作用。
  此外,IRLS3034-7P适用于同步降压变换器(Buck Converter)中的上管开关,尤其是在输入电压较低(如5V或12V)的系统中,其低导通电阻有助于提升转换效率并减少发热。
  在DC-DC电源模块、电压调节模块(VRM)以及现场总线电源隔离电路中,该MOSFET也发挥着关键作用。工业控制设备中的继电器驱动电路、电机驱动H桥的互补开关以及热插拔电源接口同样可以采用此器件实现安全可靠的功率控制。
  由于其符合AEC-Q101标准,IRLS3034-7P也被用于汽车电子系统,如车载信息娱乐系统、车身控制模块和传感器供电单元等,提供稳定的电源开关功能。在网络通信设备中,该器件可用于板卡电源的顺序上电控制和冗余电源切换,保障系统运行的连续性与安全性。

替代型号

[
   "IRFML8244TRPBF",
   "AO3415",
   "SI2301DDS",
   "FDN360P",
   "TPSMB18AHE3/54"
  ]

IRLS3034-7P推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价

IRLS3034-7P资料 更多>

  • 型号
  • 描述
  • 品牌
  • 阅览下载