IRLR8729PBF 时间：2025/12/24 12:28:01 阅读：21

IRLR8729PBF 是一款由英飞凌（Infineon）推出的N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件采用逻辑电平驱动设计，具有较低的导通电阻和较高的开关速度，适用于高频开关应用。其封装形式为SO-8，适合表面贴装技术、工业控制及电源管理领域。
　　该MOSFET的主要特点是低栅极电荷和低导通电阻，能够有效降低功率损耗并提高系统效率。

参数

型号：IRLR8729PBF
　　类型：N沟道增强型MOSFET
　　封装：SO-8
　　Vds（漏源电压）：30V
　　Rds(on)（导通电阻，典型值）：1.4mΩ @ Vgs=10V
　　Id（连续漏极电流）：165A
　　Ptot（总功耗）：13W
　　Qg（栅极电荷）：7nC
　　fT（特征频率）：1.7MHz
　　Vgs(th)（栅极开启电压）：1.2V~2.4V
　　Tj（结温范围）：-55°C ~ +175°C

特性

1. 极低的导通电阻Rds(on)，可显著减少导通损耗，从而提升整体效率。
　　2. 较低的栅极电荷Qg，有助于实现更快的开关速度和更少的开关损耗。
　　3. 支持逻辑电平驱动，可直接与微控制器或数字电路配合使用。
　　4. 高额定电流能力（最大165A），适合大功率应用。
　　5. 宽工作温度范围（-55°C到+175°C），适应各种恶劣环境条件。
　　6. 小巧的SO-8封装，易于集成在紧凑型设计中。

应用

1. 开关电源（SMPS）中的同步整流器。
　　2. DC-DC转换器和降压/升压调节器。
　　3. 电机驱动和逆变器电路。
　　4. 笔记本电脑、平板电脑等便携式设备的电池管理系统。
　　5. 工业自动化控制中的负载切换。
　　6. 音频功率放大器和其他需要高效功率开关的应用场景。

替代型号

1. IRLZ44N（性能接近但导通电阻稍高）。
　　2. FDP5570（来自Fairchild，具备类似规格和性能）。
　　3. AO4402（Alpha & Omega Semiconductor生产，具有类似的Rds(on)和封装形式）。
　　4. IRF7413（属于同一制造商系列，具有相似的电气特性）。