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AUIRFR4105Z 发布时间 时间:2025/5/23 18:05:54 查看 阅读:17

AUIRFR4105Z是一款专为汽车应用设计的N沟道增强型MOSFET。该器件采用先进的工艺制造,具有较低的导通电阻和较高的开关速度,适合用于高效率DC-DC转换器、负载开关以及其他功率管理电路中。
  该器件具备出色的热性能和电气性能,能够满足汽车电子系统对可靠性和性能的严格要求。

参数

型号:AUIRFR4105Z
  类型:N-Channel MOSFET
  额定电压(Vds):40V
  额定电流(Id):36A
  导通电阻(Rds(on)):2.2mΩ(典型值,Vgs=10V)
  栅极电荷(Qg):21nC(最大值)
  输入电容(Ciss):1790pF
  工作温度范围:-55℃至175℃
  封装形式:TO-263-3, D2PAK

特性

AUIRFR4105Z的主要特性包括:
  1. 极低的导通电阻,有助于降低功率损耗并提高系统效率。
  2. 高额定电流能力,使其能够承受较大的负载电流。
  3. 良好的热稳定性,能够在极端温度条件下保持稳定的性能。
  4. 快速开关特性,适合高频开关应用。
  5. 符合AEC-Q101标准,确保在汽车环境中的高可靠性。
  6. 封装形式坚固耐用,适用于表面贴装技术(SMT)。
  7. 提供优异的抗浪涌能力和ESD保护。

应用

AUIRFR4105Z广泛应用于汽车电子领域,具体包括:
  1. DC-DC转换器中的功率开关。
  2. 汽车电池管理系统中的负载开关。
  3. 汽车电子控制单元(ECU)中的电源管理。
  4. 照明系统的驱动电路。
  5. 各类电机控制和驱动电路。
  6. 电池保护和充电管理电路。
  其低导通电阻和高可靠性使得它成为许多关键汽车应用的理想选择。

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AUIRFR4105Z参数

  • 标准包装75
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列HEXFET®
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)55V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C30A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C24.5 毫欧 @ 18A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)4V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs27nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds740pF @ 25V
  • 功率 - 最大48W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
  • 供应商设备封装D-Pak
  • 包装管件