型号：IRLR8713
　　类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压(VDS)：30V
　　最大栅源电压(VGS)：±20V
　　连续漏极电流(ID)：42A
　　脉冲漏极电流(IDM)：168A
　　导通电阻(RDS(on))：5.7mΩ @ VGS=10V, 7.5mΩ @ VGS=4.5V
　　阈值电压(VGS(th))：1.0V ~ 2.0V
　　输入电容(Ciss)：1350pF @ VDS=15V
　　输出电容(Coss)：470pF @ VDS=15V
　　反向恢复时间(trr)：22ns
　　工作结温范围(Tj)：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：DirectFET? (SMD)
　　热阻结到壳(θJC)：0.9°C/W
　　功率耗散(PD)：50W

IRLR8713采用英飞凌先进的沟槽场效应晶体管技术，实现了极低的导通电阻与优异的开关特性之间的平衡，特别适合用于高频开关电源系统。其核心优势之一是5.7mΩ的超低RDS(on)，在VGS=10V条件下可显著降低导通损耗，提升整体系统效率。即使在VGS=4.5V的较低驱动电压下，RDS(on)仍保持在7.5mΩ以内，这使得它兼容3.3V或5V逻辑驱动电路，无需额外升压即可可靠开启，增强了在低压控制环境中的适用性。
　　该器件的封装采用DirectFET?技术，这是一种顶部散热的表面贴装封装，能够有效降低热阻并提高散热效率。与传统SO-8封装相比，DirectFET?减少了引线电感和寄生参数，从而降低了开关过程中的电压尖峰和电磁干扰（EMI），提升了系统的稳定性与可靠性。同时，由于其紧凑的外形尺寸，有助于节省PCB空间，满足现代电子产品对小型化和高集成度的需求。
　　IRLR8713具备较高的电流承载能力，连续漏极电流可达42A，脉冲电流高达168A，适用于瞬态负载变化较大的应用场景，如电机启动、LED驱动或同步整流等。其输入电容仅为1350pF，输出电容为470pF，在保证低损耗的同时也减少了驱动电路的能量消耗，有利于提高开关频率和减小外围滤波元件的体积。
　　该MOSFET还具备良好的热稳定性和抗雪崩能力，能够在高温环境中长时间稳定运行，结温范围从-55°C到+150°C，适用于工业级和汽车级应用。此外，器件内部结构经过优化，具有较低的栅极电荷（Qg）和米勒电荷（Qgd），有助于减少开关延迟和交叠损耗，进一步提升转换效率。综合来看，IRLR8713是一款高性能、高可靠性的功率MOSFET，适用于追求高效率、小体积和高功率密度的现代电源设计。

IRLR8713主要用于各类高效率开关电源系统中，特别是在同步整流拓扑结构中作为主开关或整流开关使用。典型应用包括DC-DC降压变换器、非隔离式电源模块、POL（Point-of-Load）转换器以及VRM（电压调节模块）等，广泛应用于服务器主板、通信设备电源、嵌入式系统和高端笔记本电脑中。其低导通电阻和快速开关特性使其在大电流、低电压输出场景下表现出色，例如12V转5V或3.3V、甚至更低电压的转换需求。
　　在电机驱动领域，IRLR8713可用于H桥或半桥拓扑中的功率开关元件，驱动直流电机或步进电机，尤其适用于无人机、电动工具和便携式家电等对能效和体积要求较高的产品。其高电流能力和良好热性能确保了在频繁启停和负载波动下的稳定运行。
　　此外，该器件也适用于电池管理系统（BMS）、LED照明驱动电源和热插拔控制器等场合。在这些应用中，IRLR8713不仅承担功率切换功能，还可作为防反接或过流保护的电子开关使用。由于其支持表面贴装工艺，便于自动化生产，因此非常适合大规模量产的产品设计。
　　得益于DirectFET?封装的低高度和优异散热性能，IRLR8713常被用于空间受限但散热要求高的环境，如超薄显示器电源板、平板电脑电源模块和车载信息娱乐系统供电单元。总体而言，其应用覆盖工业、消费电子、计算设备和部分汽车电子领域，是一款通用性强且性能优越的N沟道MOSFET解决方案。

IRLHS8713
　　IRLR8714
　　SI4403DY-T1-GE3
　　AOZ5242AIJ