时间：2025/3/25 14:08:37
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IRLR7843是一款N沟道逻辑电平增强型MOSFET，由Infineon Technologies（英飞凌）生产。该器件采用超薄封装设计，具备低导通电阻和快速开关特性，广泛应用于功率转换、电机驱动和负载切换等领域。其优化的栅极电荷和较低的导通电阻使其非常适合高频开关应用。
最大漏源电压：30V
连续漏极电流：25A
导通电阻：1.6mΩ
栅极阈值电压：1V至2.5V
总栅极电荷：17nC
输入电容：1390pF
输出电容：250pF
反向传输电容：95pF
工作结温范围：-55℃至175℃
IRLR7843具有非常低的导通电阻，能够有效降低功率损耗并提高系统效率。
该器件支持快速开关操作，适合高频应用，例如DC-DC转换器和同步整流电路。
由于采用了先进的制造工艺，IRLR7843具备较高的热稳定性和可靠性，可适应严苛的工作环境。
其逻辑电平驱动能力使得它可以直接与微控制器或数字信号处理器接口，简化了电路设计。
此外，该器件还具有出色的雪崩能力和短路耐受能力，增强了系统的鲁棒性。
1. 开关电源中的主开关管或同步整流管。
2. 电动工具、家用电器和工业设备中的电机驱动。
3. 汽车电子系统中的负载切换和电池保护。
4. 高效功率模块和逆变器设计。
5. 通信电源和不间断电源（UPS）系统中的关键组件。
其高性能和高可靠性使得IRLR7843成为众多应用的理想选择。
IRLR7844, IRLR7845
