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MCH3316-TL-E 发布时间 时间:2025/9/21 11:11:08 查看 阅读:13

MCH3316-TL-E是一款由Monolithic Power Systems(MPS)推出的高效率、同步降压直流-直流转换器芯片,采用紧凑型封装设计,适用于需要高效电源管理解决方案的便携式设备和嵌入式系统。该器件集成了高压侧和低压侧功率MOSFET,能够在宽输入电压范围内提供稳定的输出电压,同时具备出色的负载调整率和线路调整率性能。MCH3316-TL-E通过采用恒定导通时间(COT)控制模式,实现了快速瞬态响应,无需外部补偿元件,简化了电路设计并减少了外围元件数量。该芯片特别适用于空间受限的应用场景,如消费类电子产品、工业控制系统、网络通信设备以及电池供电设备等。其内置多种保护功能,包括过流保护、过温保护和输出欠压保护,确保系统在异常工作条件下仍能安全运行。此外,MCH3316-TL-E支持可调节输出电压配置,用户可通过外部电阻分压网络灵活设定所需的输出电平,增强了设计的适应性与灵活性。

参数

型号:MCH3316-TL-E
  制造商:Monolithic Power Systems (MPS)
  封装类型:QFN
  引脚数:16
  输入电压范围:4.5V 至 18V
  输出电压范围:0.8V 至 5.5V(可调)
  最大输出电流:3A
  开关频率:典型值 500kHz
  控制模式:恒定导通时间(COT)
  工作温度范围:-40°C 至 +125°C(Tj)
  静态电流:典型值 40μA
  关断电流:小于 1μA
  反馈参考电压:0.8V ±1%
  占空比范围:最大接近 100%
  保护功能:过流保护(OCP)、过温保护(OTP)、输出欠压保护(UVP)

特性

MCH3316-TL-E采用了先进的恒定导通时间(COT)控制架构,这种控制方式能够显著提升动态响应速度,尤其在面对负载突变时表现出优异的稳定性。由于COT控制无需外部环路补偿元件,因此不仅降低了设计复杂度,还节省了PCB布局空间,提高了整体系统的可靠性。该芯片内部集成了低RDS(on)的上下桥臂MOSFET,有效降低了导通损耗,提升了转换效率,特别是在中高负载条件下表现尤为突出。其高达3A的持续输出电流能力使其适用于多种中等功率应用场景。
  为了提高轻载效率,MCH3316-TL-E引入了节能工作模式,在低负载或待机状态下自动进入脉冲跳跃模式,大幅降低静态功耗,延长电池使用寿命,非常适合用于移动设备或远程传感节点等对能耗敏感的应用场合。此外,该器件具备良好的热管理设计,结合QFN封装的优良散热性能,可在高温环境下稳定运行。
  芯片还集成了软启动功能,防止启动过程中产生过大的浪涌电流,从而保护输入电源和后级电路。通过外部电阻分压器可精确设置输出电压,最小可调至0.8V,满足现代微处理器、FPGA、ASIC等核心器件对低电压供电的需求。内置的多重保护机制进一步增强了系统的鲁棒性,例如当检测到输出短路或过流情况时,芯片将自动限制输出电流并触发打嗝模式,避免损坏自身及外部元件。这些综合性的特性使MCH3316-TL-E成为一款高性能、高集成度且易于使用的同步降压转换器解决方案。

应用

MCH3316-TL-E广泛应用于各类需要高效、小型化电源设计的电子系统中。在消费类电子产品领域,它常被用于智能手机、平板电脑、智能手表和其他便携式设备中的板级电源管理模块,为处理器、传感器和无线通信模块提供稳定的电压供应。在网络通信设备中,该芯片可用于路由器、交换机和光模块的辅助电源轨设计,支持宽输入电压范围使其能兼容多种供电环境。
  在工业自动化和控制系统中,MCH3316-TL-E可用于PLC、HMI、数据采集终端等设备的局部供电,其宽温工作能力和高可靠性满足工业级应用要求。此外,在医疗电子设备如便携式监护仪、血糖仪等产品中,得益于其低静态功耗和高转换效率,有助于实现更长的续航时间和更高的能效等级。
  该器件也适合用于分布式电源架构中的点负载(POL)转换,替代传统的线性稳压器,以减少发热并提高整体系统效率。在汽车电子领域,尽管非车规级,但在部分车载信息娱乐系统的后装市场或测试设备中也有应用潜力。总之,凡是需要将5V、9V或12V母线电压降至核心IC所需低压(如1.8V、3.3V、5V等)的场景,MCH3316-TL-E都是一种极具竞争力的选择。

替代型号

MP2315DJ-LF-Z
  MCM13601GQNR

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MCH3316-TL-E参数

  • 典型关断延迟时间28 ns
  • 典型接通延迟时间8 ns
  • 典型栅极电荷@Vgs6.4 nC V @ -30
  • 典型输入电容值@Vds265 pF V @ -20
  • 安装类型表面贴装
  • 宽度1.6mm
  • 封装类型MCPH 3
  • 尺寸2 x 1.6 x 0.85mm
  • 引脚数目3
  • 最大功率耗散1 W
  • 最大栅源电压±20 V
  • 最大漏源电压-60 V
  • 最大漏源电阻值750 m
  • 最大连续漏极电流-1.2 A
  • 最高工作温度+150 °C
  • 每片芯片元件数目1
  • 类别通用
  • 通道模式增强
  • 通道类型P
  • 配置
  • 长度2mm
  • 高度0.85mm