时间：2025/6/24 3:38:18
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IRLR7833PBF 是一款高性能的 P 沟道功率 MOSFET，由英飞凌（Infineon）制造。该器件采用先进的沟槽式技术设计，具有极低的导通电阻和高开关速度，适用于各种需要高效能和低功耗的应用场景。
IRLR7833PBF 主要用于负载切换、DC-DC 转换器、电源管理模块等电路中，能够提供出色的效率和稳定性。
最大漏源电压：20V
连续漏极电流：-45A
导通电阻：1.6mΩ（典型值，Vgs=-4.5V时）
栅极电荷：26nC
总电容：135pF
工作温度范围：-55°C 至 175°C
IRLR7833PBF 具有以下显著特点：
1. 极低的导通电阻，有效降低功率损耗。
2. 高开关速度，减少开关过程中的能量损失。
3. 强大的电流承载能力，适合高功率应用。
4. 宽广的工作温度范围，确保在极端环境下稳定运行。
5. 小型封装设计，节省电路板空间。
6. 符合 RoHS 标准，环保且可靠。
该 MOSFET 广泛应用于多种领域，包括但不限于：
1. 开关电源（Switching Power Supplies）
2. DC-DC 转换器
3. 电池管理系统（Battery Management Systems）
4. 电机驱动与控制
5. 工业自动化设备中的负载切换
6. 汽车电子系统中的电源管理
其高效的性能和可靠性使其成为许多高要求应用的理想选择。
IRLR7843PBF, IRLR7844PBF
