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IRLR7821TRPBF 发布时间 时间:2025/4/29 17:29:52 查看 阅读:3

IRLR7821TRPBF是一款由英飞凌(Infineon)制造的高性能N沟道逻辑电平MOSFET。该器件采用先进的Trench技术制造,具有低导通电阻和快速开关特性,适合用于要求高效能和高频率的应用场景。
  这种MOSFET主要应用于功率转换、负载切换、DC-DC转换器、电机驱动、逆变器以及电池保护电路等领域。其小型化的封装形式(TO-252/DPAK)使其非常适合于空间受限的设计。

参数

最大漏源电压:30V
  连续漏极电流:39A
  导通电阻(Rds(on)):1.4mΩ(在Vgs=10V时)
  栅极电荷:16nC
  总电容:1420pF
  工作结温范围:-55℃至+175℃
  封装形式:TO-252 (DPAK)

特性

IRLR7821TRPBF以其超低的导通电阻著称,能够显著减少导通损耗,提高效率。
  其快速开关能力有助于降低开关损耗,同时保持较低的电磁干扰(EMI)。此外,这款MOSFET支持较高的连续漏极电流,并且具备优秀的热稳定性,在高温环境下仍能可靠运行。
  它还采用了无铅设计,符合RoHS标准,适应现代环保需求。
  由于其卓越的性能表现,这款器件非常适合用于高频功率转换应用中,例如同步整流、多相电源管理以及汽车电子领域。

应用

该MOSFET广泛适用于各种需要高效功率处理的应用场景,包括但不限于:
  - 同步整流电路
  - DC-DC转换器
  - 开关电源(SMPS)
  - 电机驱动与控制
  - 电池管理系统(BMS)
  - 汽车电子系统中的负载切换
  - 工业自动化设备中的功率调节

替代型号

IRLR7820TRPBF, IRLR7822TRPBF

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IRLR7821TRPBF参数

  • 标准包装2,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列HEXFET®
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)30V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C65A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C10 毫欧 @ 15A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)1V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs14nC @ 4.5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds1030pF @ 15V
  • 功率 - 最大75W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
  • 供应商设备封装D-Pak
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称IRLR7821PBFTR