IRLR7821TRPBF是一款由英飞凌(Infineon)制造的高性能N沟道逻辑电平MOSFET。该器件采用先进的Trench技术制造,具有低导通电阻和快速开关特性,适合用于要求高效能和高频率的应用场景。
这种MOSFET主要应用于功率转换、负载切换、DC-DC转换器、电机驱动、逆变器以及电池保护电路等领域。其小型化的封装形式(TO-252/DPAK)使其非常适合于空间受限的设计。
最大漏源电压:30V
连续漏极电流:39A
导通电阻(Rds(on)):1.4mΩ(在Vgs=10V时)
栅极电荷:16nC
总电容:1420pF
工作结温范围:-55℃至+175℃
封装形式:TO-252 (DPAK)
IRLR7821TRPBF以其超低的导通电阻著称,能够显著减少导通损耗,提高效率。
其快速开关能力有助于降低开关损耗,同时保持较低的电磁干扰(EMI)。此外,这款MOSFET支持较高的连续漏极电流,并且具备优秀的热稳定性,在高温环境下仍能可靠运行。
它还采用了无铅设计,符合RoHS标准,适应现代环保需求。
由于其卓越的性能表现,这款器件非常适合用于高频功率转换应用中,例如同步整流、多相电源管理以及汽车电子领域。
该MOSFET广泛适用于各种需要高效功率处理的应用场景,包括但不限于:
- 同步整流电路
- DC-DC转换器
- 开关电源(SMPS)
- 电机驱动与控制
- 电池管理系统(BMS)
- 汽车电子系统中的负载切换
- 工业自动化设备中的功率调节
IRLR7820TRPBF, IRLR7822TRPBF