容量：256 KB
　　组织结构：8位数据宽度
　　封装类型：TSOP
　　工作电压：2.7V 至 3.6V
　　最大访问时间：55 ns
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　封装引脚数：32-pin
　　擦写周期：100,000 次典型值
　　数据保留时间：10年

HY29F002TT-55DR 是一款高性能、低功耗的NOR Flash存储器，专为需要快速随机读取和非易失性存储的应用而设计。其主要特性包括高速访问时间（最大55 ns），支持快速启动和执行代码，适用于嵌入式系统中的程序存储。该芯片支持统一的扇区擦除和编程操作，允许灵活的存储管理。其内置的命令集控制功能使得用户可以方便地进行芯片内部操作，如自动擦除、编程和锁定功能。
　　在电源管理方面，HY29F002TT-55DR 支持低功耗待机模式和深度掉电模式，适合对功耗敏感的应用。其宽泛的工作电压范围（2.7V至3.6V）使其兼容多种电源设计，并增强了系统的稳定性。该芯片还具备高可靠性，支持至少100,000次擦写周期，并且数据可保留长达10年不丢失。
　　HY29F002TT-55DR 的TSOP封装形式不仅节省空间，还具有良好的热性能和电气性能，适合用于紧凑型电路设计。其工业级温度范围（-40°C至+85°C）使其适用于工业自动化、通信设备、消费电子产品以及汽车电子等多种应用环境。

HY29F002TT-55DR 主要用于嵌入式系统中作为程序存储器，例如用于存储启动代码（Bootloader）、固件（Firmware）或小型操作系统。常见应用包括工业控制设备、通信模块、智能卡终端、消费类电子产品（如打印机、机顶盒）、汽车电子系统（如ECU、导航模块）等。由于其快速读取能力和低功耗特性，它也适用于电池供电设备和远程数据采集系统。

AM29F002BB-55DE, MX29F002TCT55G